[發明專利]陰極、OLED器件及其制作方法、OLED顯示裝置在審
| 申請號: | 201310326965.5 | 申請日: | 2013-07-30 |
| 公開(公告)號: | CN103400940A | 公開(公告)日: | 2013-11-20 |
| 發明(設計)人: | 何劍;蘇君海;柯賢軍;林宏信;羅武峰;李建華 | 申請(專利權)人: | 信利半導體有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L51/50;H01L51/56;H01L27/32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陰極 oled 器件 及其 制作方法 顯示裝置 | ||
技術領域
本發明涉及半導體器件及其制作工藝技術領域,更具體的說是涉及陰極、OLED器件及其制作方法、OLED顯示裝置。
背景技術
OLED(Organic?Light-Emitting?Diode,有機發光二極管)顯示是20世紀中期發展起來的一種新型顯示技術,OLED顯示裝置具有超輕薄、全固態、主動發光、響應速度快、高對比度、無視角限制、工作溫度范圍寬、低功耗、低成本、抗震能力強及可實現柔性顯示等諸多優點,將成為下一代最理想的平面顯示裝置,其優越性能和巨大的市場潛力,吸引全世界眾多廠家和科研機構投入到OLED顯示裝置的生產和研發中。
OLED器件是OLED顯示裝置的主要結構,OLED器件的典型結構為三明治結構,參考圖1,自下而上依次為陽極11、有機功能層12和陰極13,其中有機功能層12為依次包含空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層和電子注入層的多層結構。當陽極11和陰極13之間施加合適的電壓后,空穴從陽極、電子從陰極注入到有機功能層12中,并在有機功能層中的發光層進行復合發光。
OLED顯示裝置可以向陰極方向發光,也可以向陽極方向發光,還可以同時向陰極和陽極兩個方向發光,根據其發光方向不同,可分為底發射OLED顯示裝置、頂發射OLED顯示裝置和透明OLED顯示裝置。底發射OLED顯示裝置的陽極為透明陽極,陰極為高反射陰極,其出光方向為陽極方向。與底發射OLED顯示裝置的陰極不同,頂發射OLED顯示裝置與透明OLED顯示裝置均需光能夠從陰極射出,因此頂發射OLED顯示裝置與透明OLED顯示裝置的陰極為半透明陰極。為方便描述,以下用頂發射(透明)OLED代替頂發射OLED和透明OLED。
半透明陰極作為頂發射(透明)OLED器件光線必須透射的部分,對頂發射(透明)OLED器件性能有著至關重要的影響,半透明陰極必須滿足兩個條件:1)良好的電學性能,包括導電性和電子注入能力;2)良好的透光性。但是,發明人發現,現有的頂發射(透明)OLED器件的半透明陰極的光線透過率較低。
發明內容
有鑒于此,本發明提供一種有機發光二極管器件的陰極,以提高頂發射(透明)OLED器件的半透明陰極的光線透過率。
為實現上述目的,本發明提供如下技術方案:
一種陰極,設置于有機發光二極管顯示器件中有機功能層的表面,該陰極包括:
半透明復合陰極層和增透層,所述增透層位于所述半透明復合陰極層背向所述有機功能層的一側,所述半透明復合陰極層包括至少一層半透明陰極層和至少一層透明導電層,且所述半透明陰極層和所述透明導電層交替疊加。
優選地,所述半透明陰極層的層數范圍為2-20層,包括端點值。
優選地,所述透明導電層的折射率范圍為1.5-15,包括端點值,所述透明導電層的光線透過率范圍為75%-95%,包括端點值。
優選地,所述透明導電層為六硼化鑭層或氧化鋅錫層。
優選地,所述增透層的材料為LaB6、ZTO、Al2O3、MgO、TiO2、MgF2、SiO2、SiNx、SnO2、ZnO、ZrO2、WO3、MoO3、12CaO·7Al2O3、NPB、TPD或Alq3。
一種有機發光二極管器件,包括:相對設置的陽極和陰極,所述陰極上述陰極;位于所述陽極和所述陰極之間的有機功能層,所述有機功能層包括沿所述陽極指向所述陰極方向依次設置的空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層和電子注入層。
優選地,所述電子注入層為六硼化鑭層。
優選地,所述電子注入層為六硼化鑭層與氟化鋰層形成的疊層,所述氟化鋰層位于所述電子傳輸層與所述六硼化鑭層之間。
一種有機發光二極管顯示裝置,包括:相對設置的基板和封裝后蓋,所述封裝后蓋朝向所述基板的一側設置有凹槽;設置在所述基板朝向所述封裝后蓋一側的有機發光二極管器件,所述有機發光二極管器件為上述有機發光二極管器件,且所述有機發光二極管器件位于所述凹槽內。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





