[發明專利]單層多點式觸控屏及其單層多點式導電膜

有效

• 申請號: 201310325180.6
• 申請日: 2013-07-30
• 公開（公告）號: CN103455198A
• 公開（公告）日: 2013-12-18
• 發明（設計）人: 楊廣舟;孫超
• 申請（專利權）人: 南昌歐菲光科技有限公司;深圳歐菲光科技股份有限公司;蘇州歐菲光科技有限公司
• 主分類號: G06F3/041
• 分類號: G06F3/041;H01B5/14
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 鄧云鵬

1.一種單層多點式導電膜，其特征在于，包括：

透明基底，包括本體及由所述本體的一側延伸形成的至少一撓性連接部，所述撓性連接部的寬度小于所述本體延伸有所述撓性連接部的一側的寬度，所述撓性連接部設置有導通線路，所述本體上設有感應區及位于所述感應區邊緣的邊框區；

第一導電層，呈網格狀，設置于所述感應區，所述第一導電層包括相互交叉的第一導電絲線，所述感應區開設有網格凹槽，所述第一導電層收容于所述網格凹槽，所述第一導電絲線為透明或非透明導電絲線；

絕緣層，位于第一導電絲線上方且嵌設于所述網格凹槽中；

第二導電層，呈網格狀，設置于所述透明基底的感應區，并與所述第一導電層通過所述絕緣層隔開，所述第二導電層包括相互交叉的第二導電絲線，所述第二導電絲線為透明導電絲線；

第一引線電極，設置于所述邊框區，所述第一引線電極與所述第一導電層電連接，所述導通線路通過所述第一引線電極與所述第一導電層電連接；及

第二引線電極，設置于所述邊框區，所述第二引線電極與所述第二導電層電連接，所述導通線路通過所述第二引線電極與所述第二導電層電連接。

2.如權利要求1所述的單層多點式導電膜，其特征在于，還包括基質層，所述基質層設于所述透明基底表面，所述感應區及所述邊框區設于所述基質層遠離透明基底的一側，所述第一導電層及所述第二導電層均設置于所述基質層的感應區。

3.如權利要求1所述的單層多點式導電膜，其特征在于，所述第一引線電極及所述第二引線電極為線條狀。

4.如權利要求1所述的單層多點式導電膜，其特征在于，所述絕緣層的材料為絕緣油墨或絕緣膠。

5.如權利要求3所述的單層多點式導電膜，其特征在于，所述第一引線電極包括相互交叉的第一導電引線，所述第二引線電極包括相互交叉的第二導電引線。

6.如權利要求1所述的單層多點式導電膜，其特征在于，所述第一引線電極位于所述邊框區的表面，或所述邊框區上開設第一凹槽，所述第一引線收容于開設于所述第一凹槽中。

7.如權利要求6所述的單層多點式導電膜，其特征在于，所述第二引線電極位于所述邊框區的表面，或所述邊框區上開設第二凹槽，所述第二引線收容于開設于所述第二凹槽中。

8.如權利要求1所述的單層多點式導電膜，其特征在于，所述第一導電層及所述第二導電層的網格為規則網格或隨機網格。

9.如權利要求1所述的單層多點式導電膜，其特征在于，所述網格凹槽的寬度為d1，深度為h，其中，1μm≤d1≤5μm，2μm≤h≤6μm，h/d1＞1。

10.如權利要求1所述的單層多點式導電膜，其特征在于，所述網格凹槽為底部為“V”字形、“W”字形、弧形或波浪形的微型槽。

11.如權利要求10所述的單層多點式導電膜，其特征在于，所述微型槽的深度為500nm～1μm。

12.如權利要求1所述的單層多點式導電膜，其特征在于，所述透明基底的材料為熱塑性材料或PET。

13.如權利要求2所述的單層多點式導電膜，其特征在于，所述基質層的材料為UV膠、壓印膠或聚碳酸酯。

14.如權利要求1所述的單層多點式導電膜，其特征在于，所述第一導電絲線及所述第二導電絲線的材料為銀、銅、導電聚合物或ITO。

15.如權利要求1所述的單層多點式導電膜，其特征在于，還包括覆蓋所述第二導電層表面的透明保護層。

16.如權利要求15所述的單層多點式導電膜，其特征在于，所述透明保護層的材料為UV膠、壓印膠或聚碳酸酯。

17.一種單層多點式觸控屏，包括覆蓋板、單層多點式導電膜及顯示模組，其特征在于，所述單層多點式導電膜為如權利要求1～16任一項所述的單層多點式導電膜。