[發明專利]一種具有雙層鈍化膜的AlGaN基紫外探測器及制備方法

無效

• 申請號: 201310325082.2
• 申請日: 2013-07-30
• 公開（公告）號: CN103413839A
• 公開（公告）日: 2013-11-27
• 發明（設計）人: 劉秀娟;張燕;李向陽;王立偉;盧怡丹;常超
• 申請（專利權）人: 中國科學院上海技術物理研究所
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/18;C23C16/34;H01L31/105
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司 31213
• 代理人: 郭英

1.一種具有雙層鈍化膜的AlGaN基紫外探測器，器件結構為：在藍寶石襯底（1）上依次為AlN緩沖層（2）、n型AlGaN層（3）、i型AlGaN層（4）、p型AlGaN層（5）、下層Si₃N₄鈍化膜（8）、上層Si₃N₄鈍化膜（9），n歐姆接觸電極（6）位于n型AlGaN層（3）上，p歐姆接觸電極（7）位于p型AlGaN層（5）上，其特征在于，在AlGaN基紫外探測器的結構的臺面表面以及臺面側面有兩層鈍化膜，即下層Si₃N₄鈍化膜（8）和上層Si₃N₄鈍化膜（9）；所述的下層Si₃N₄鈍化膜（8）的膜厚為1000-2000埃，所述的上層Si₃N₄鈍化膜（9）的膜厚為2000-3000埃。

2.根據權利要求1所述的一種具有雙層鈍化膜的AlGaN基紫外探測器，其特征在于，所述的下層Si₃N₄鈍化膜（8）采用感應耦合等離子體化學氣相沉積方式制備，沉積時的工藝參數為：沉積溫度75℃，腔體壓強為10mTorr，ICP源功率為550W，氣體流量比SiH₄:N₂=15.0sccm：12.5sccm，腔體射頻RF功率為0W，沉積時間為6.5min-13min。

3.根據權利要求1所述的一種具有雙層鈍化膜的AlGaN基紫外探測器，其特征在于，所述的上層Si₃N₄鈍化膜（9）采用感應耦合等離子體化學氣相沉積方式制備，沉積時的工藝參數為：沉積溫度75℃，腔體壓強為10mTorr，ICP源功率為550W，氣體流量比SiH₄:N₂=16.5sccm：12.5sccm，腔體射頻RF功率為5W，沉積時間為14min-21min。