[發(fā)明專利]一種絕緣柵雙極性晶體管的制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310323481.5 | 申請日： | 2013-07-29 |
| 公開（公告）號： | CN104347401B | 公開（公告）日： | 2017-05-10 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 鄧小社;芮強;張碩;王根毅 | 申請（專利權(quán)）人： | 無錫華潤上華半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/331 | 分類號： | H01L21/331;H01L21/265 |
| 代理公司： | 無錫互維知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司32236 | 代理人： | 龐聰雅,茅泉美 |
| 地址： | 214028 江蘇省無*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 絕緣 極性 晶體管 制造 方法 | ||
1.一種絕緣柵雙極性晶體管的制造方法，其特征在于：
提供第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體襯底，該半導(dǎo)體襯底具有第一主面和第二主面；
在所述半導(dǎo)體襯底的第一主面形成第二導(dǎo)電類型的場終止層；
在所述場終止層上生長氧化層；
去除所述場終止層上的氧化層；
在去除所述氧化層后的所述場終止層上形成外延層；
在所述外延層上繼續(xù)制造所述絕緣柵雙極性晶體管，所述第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體襯底為P型襯底材料，第二導(dǎo)電類型為N型，P型襯底材料也是絕緣柵雙極性晶體管的背面P+集電極區(qū)，
其中通過N型雜質(zhì)表面注入和高溫推阱的工藝在所述半導(dǎo)體襯底的第一主面形成場終止層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣柵雙極性晶體管的制造方法，其特征在于：所述氧化層的厚度為
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣柵雙極性晶體管的制造方法，其特征在于：在800℃～1100℃的干氧/氫氧氧化/水汽氧化環(huán)境中對形成有所述場終止層上的半導(dǎo)體襯底進行氧化以得到所述氧化層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣柵雙極性晶體管的制造方法，其特征在于：在所述場終止層上生長所述氧化層時，同時也在所述半導(dǎo)體襯底的第二主面上形成有氧化層，所述制造方法還包括：去除所述半導(dǎo)體襯底的第二主面上形成的氧化層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣柵雙極性晶體管的制造方法，其特征在于：采用濕法腐蝕工藝或者濕法腐蝕與干法腐蝕相結(jié)合的工藝去除所述場終止層上的氧化層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣柵雙極性晶體管的制造方法，其特征在于：N型雜質(zhì)的注入劑量為5E11/cm2～1E15/cm2，能量為30KeV～200KeV。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于無錫華潤上華半導(dǎo)體有限公司，未經(jīng)無錫華潤上華半導(dǎo)體有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310323481.5/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
