[發(fā)明專利]微機械結(jié)構(gòu)和相應的制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310321717.1
• 申請日: 2013-07-29
• 公開（公告）號: CN103569939A
• 公開（公告）日: 2014-02-12
• 發(fā)明（設計）人: C.謝林
• 申請（專利權(quán)）人: 羅伯特·博世有限公司
• 主分類號: B81B7/00
• 分類號: B81B7/00;B81C1/00
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 梁冰;楊國治

1.?微機械結(jié)構(gòu)，具有：

襯底（1；1'），所述襯底具有一上側(cè)面（OS；OS'）；

在所述襯底（1；1'）中在所述上側(cè)面（OS；OS'）上構(gòu)造的微機械的功能結(jié)構(gòu)（M、F、S1、S2）；以及

在所述襯底（1；1'）的上側(cè)面（OS；OS'）上方構(gòu)造的印制導線系統(tǒng)（L、V；LB）；

其中，所述印制導線系統(tǒng)（L、V；LB）具有至少兩個非傳導性材料（10）的絕緣層（10）和一在所述絕緣層之間的傳導性材料的印制導線層（L）。

2.?按照權(quán)利要求1所述的微機械結(jié)構(gòu)，其中，在最上部的印制導線層（L）和所述襯底（1；1'）的上側(cè)面（OS；OS'）之間具有一空腔（H2）。

3.?按照權(quán)利要求1所述的微機械結(jié)構(gòu)，其中，所述空腔（H2）橫向地通過由所述印制導線層（L）和位于所述印制導線層之間的鍍通孔（V）構(gòu)成的堆疊順序部（VB）進行限定。

4.?按照權(quán)利要求3所述的微機械結(jié)構(gòu)，其中，所述微機械的功能結(jié)構(gòu)（M、F、S1、S2）被一具有至少一個印制導線的印制導線系統(tǒng)（LB）過度張緊，所述印制導線系統(tǒng)橫向地緊固在所述堆疊順序部（VB）上。

5.?按照權(quán)利要求3或4中任一項所述的微機械結(jié)構(gòu)，其中，所述空腔（H2）通過一封閉層（VS）封閉。

6.?按照前述權(quán)利要求中任一項所述的微機械結(jié)構(gòu)，其中，所述微機械的功能結(jié)構(gòu)（M、F、S1、S2）具有一能夠偏轉(zhuǎn)的質(zhì)量裝置（M）。

7.?按照權(quán)利要求6所述的微機械結(jié)構(gòu)，其中，一個或多個以傳導性材料包裹的、絕緣層（10）的塊（B1、B2）布置在所述質(zhì)量裝置（M）上。

8.?按照前述權(quán)利要求中任一項所述的微機械結(jié)構(gòu)，其中，在所述微機械的功能結(jié)構(gòu)（M、F、S1、S2）下方在所述襯底（S；S'）中設置另一空腔（H1）。

9.?按照前述權(quán)利要求中任一項所述的微機械結(jié)構(gòu)，其中，所述襯底（1；1'）是單晶的硅襯底（1）或者單晶的SOI襯底（1'）。

10.?用于制造微機械結(jié)構(gòu)的方法，具有下列步驟：

制備一襯底（1；1'），所述襯底具有一上側(cè)面（OS；OS'）；

在所述上側(cè)面（OS；OS'）上敷設并且結(jié)構(gòu)化一蝕刻掩模層（10a）；

在所述襯底（1；1'）中在所述上側(cè)面（OS；OS'）上在采用所述蝕刻掩模層（10a）的情況下通過一蝕刻過程來構(gòu)造一微機械的功能結(jié)構(gòu)（M、F、S1、S2）；

封閉所述蝕刻掩模層（10a）；并且

在所述微機械的功能結(jié)構(gòu)（M、F、S1、S2）上方構(gòu)造一印制導線系統(tǒng)（L、V；LB），其中，所述印制導線系統(tǒng)（L、V；LB）具有至少兩個非傳導性材料（10）的絕緣層（10）和一在所述絕緣層之間的傳導性材料的印制導線層（L）。

11.?按照權(quán)利要求10所述的方法，其中，在最上部的鈍化層（10）和所述襯底（1；1'）的上側(cè)面（OS；OS'）之間構(gòu)造一空腔（H2）。

12.?按照權(quán)利要求11所述的方法，其中，橫向于所述空腔（L），以如下方式形成一由所述印制導線層（L）以及位于所述印制導線層之間的鍍通孔（V）構(gòu)成的堆疊順序部，使得所述空腔（H2）通過所述堆疊順序部（VB）橫向地限定。

13.?按照權(quán)利要求11或12所述的方法，其中，所述空腔（H2）通過一封閉層（VS）封閉。

14.?按照權(quán)利要求10至13中任一項所述的方法，其中，所述印制導線系統(tǒng)（LB）被緊固在所述堆疊順序部（VB）上。