[發明專利]影像感測器有效
| 申請號: | 201310319564.7 | 申請日: | 2013-07-26 |
| 公開(公告)號: | CN104157657B | 公開(公告)日: | 2017-04-12 |
| 發明(設計)人: | 陳毅修;王淑芳;蕭博仁 | 申請(專利權)人: | 聯詠科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所11105 | 代理人: | 陳小雯 |
| 地址: | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 影像 感測器 | ||
1.一種影像感測器,包括:
多個感測像素;
多個微透鏡,配置于該些感測像素上;以及
多個第一光強分配元件,配置于該些感測像素與該些微透鏡之間,每一該第一光強分配元件包括:
第一折射率圖案;以及
第二折射率圖案,環繞該第一折射率圖案,且該第一折射率圖案的折射率大于該第二折射率圖案的折射率。
2.如權利要求1所述的影像感測器,其中該第一折射率圖案與至少部分的該第二折射率圖案位于同一平面。
3.如權利要求1所述的影像感測器,其中每一該第一折射率圖案具有面向該些微透鏡的第一表面,而該第二折射率圖案覆蓋每一該第一折射率圖案的該第一表面。
4.如權利要求1所述的影像感測器,其中每一該第一折射率圖案與感測像素上的其他膜層構成抗反射結構。
5.如權利要求4所述的影像感測器,其中該其他膜層為該第二折射率圖案。
6.如權利要求3所述的影像感測器,其中每一第一光強分配元件的該第一折射率圖案與該第二折射率圖案是透明的。
7.如權利要求1所述的影像感測器,其中每一該第一折射率圖案位于參考平面,入射光通過與該第一折射率圖案對應的該微透鏡后在該參考平面上形成光點,而該光點涵蓋整個該第一折射率圖案。
8.如權利要求1所述的影像感測器,其中該第一折射率圖案具有面向該些微透鏡的第一表面、面向該些感測像素的第二表面以及連接該第一表面與該第二表面的側壁,而來自于每一該微透鏡的入射光經過該第一折射率圖案的該側壁時,該入射光朝向該第一折射率圖案的中心軸偏折,該第一折射率圖案的中心軸貫穿該第一折射率圖案的該第一表面與該第二表面。
9.如權利要求8所述的影像感測器,其中該入射光通過該第一折射率圖案的該側壁后匯聚于匯聚點,而與該第一折射率圖案對應的該感測像素的受光面位于該第一折射率圖案與該匯聚點之間或該匯聚點上。
10.如權利要求8所述的影像感測器,其中該第一折射率圖案的該第一表面是該第一折射率圖案中最接近該些微透鏡的平滑面,該第一折射率圖案的該側壁與該第一表面以及該第二表面接觸,而該第一折射率圖案的該側壁為平滑面。
11.如權利要求8所述的影像感測器,其中該第一折射率圖案被與該些感測像素的受光面垂直的參考平面截出截面,該截面為于矩形、梯形或弓形。
12.如權利要求8所述的影像感測器,其中該第一折射率圖案的該第一表面為平面且與該些感測像素的受光面平行,而該第一折射率圖案的該側壁為平面且與該些感測像素的受光面垂直。
13.如權利要求1所述的影像感測器,還包括:多個第二光強分配元件,配置于該些微透鏡與該些第一光強分配元件之間,每一該第二光強分配元件包括第三折射率圖案以及環繞該第三折射率圖案的第四折射率圖案,其中該第三折射率圖案的折射率大于該第四折射率圖案的折射率。
14.如權利要求13所述的影像感測器,其中該些第一光強分配元件與該些第二光強分配元件接觸。
15.如權利要求13所述的影像感測器,還包括:間隔層,位于該些第一光強分配元件與該些第二光強分配元件之間。
16.如權利要求1所述的影像感測器,還包括:線路層,與該些感測像素電連接,而該些感測像素配置于該些第一光強分配元件與該線路層之間。
17.如權利要求1所述的影像感測器,還包括:線路層,與該些感測像素電連接,而該些第一光強分配元件配置于該線路層與該些感測像素之間。
18.如權利要求1所述的影像感測器,其中每一該第一折射率圖案與對應的該感測像素在垂直于該感測像素受光面的方向上切齊。
19.如權利要求1所述的影像感測器,其中該些第一光強分配元件的該些第一折射率圖案呈陣列分布且彼此分離,該些第一光強分配元件的該些第二折射率圖案互相接觸而連接成圖形,而該圖形填滿該些第一折射率圖案之間的空隙。
20.如權利要求1所述的影像感測器,其中該些第一光強分配元件的第一折射率圖案屬于同一膜層,而該些第一光強分配元件的第二折射率圖案屬于同一膜層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





