[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件的形成方法和半導(dǎo)體器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310317724.4
• 申請日: 2013-07-25
• 公開（公告）號: CN103390560A
• 公開（公告）日: 2013-11-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李樂
• 申請（專利權(quán)）人: 上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/78;H01L29/10
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 張亞利;駱蘇華

1.一種半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供襯底，在所述襯底表面形成至少兩個平行排列的柵極，每個所述柵極包括多段，相鄰兩柵極之間具有多段溝槽，至少一段溝槽的深寬比大于等于1；

在所述柵極周圍形成側(cè)墻；

在所述側(cè)墻兩側(cè)的襯底內(nèi)形成源極和漏極；

形成所述源極和漏極之后，在所述襯底表面和柵極表面形成層間介質(zhì)層。

2.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述襯底表面形成至少兩個柵極的工藝中，也形成將所述至少兩個柵極電連接的連線，所述連線的材料與所述柵極的材料相同。

3.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，至少一段溝槽的深寬比小于1，所述源極或漏極在所述深寬比小于1的溝槽下方。

4.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述層間介質(zhì)層的材料為SiO₂，所述層間介質(zhì)層的形成方法為等離子體增強(qiáng)正硅酸乙酯沉積。

5.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述側(cè)墻包括氮化硅側(cè)墻，形成所述源極和漏極的步驟之后，在所述襯底表面和柵極表面形成層間介質(zhì)層的步驟之前，還包括步驟：

去除所述氮化硅側(cè)墻。

6.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件為多指柵晶體管。

7.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括：

襯底，位于所述襯底表面的至少兩個平行排列的柵極，每個所述柵極包括多段，相鄰兩柵極之間具有多段溝槽，至少一段溝槽的深寬比大于等于1；

位于所述柵極周圍的側(cè)墻，所述側(cè)墻兩側(cè)襯底內(nèi)的源極和漏極；

填充所述多段溝槽、覆蓋所述襯底和所述柵極表面的層間介質(zhì)層，所述層間介質(zhì)層中具有空隙。

8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述柵極通過連線電連接，所述連線的材料與柵極的材料相同。

9.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，至少一段溝槽的深寬比小于1，所述源極或漏極在所述深寬比小于1的溝槽下方。

10.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件為多指柵晶體管。