[發明專利]隧穿場效應晶體管的制造方法

有效

• 申請號: 201310315534.9
• 申請日: 2013-07-25
• 公開（公告）號: CN104347725B
• 公開（公告）日: 2017-01-04
• 發明（設計）人: 朱正勇;朱慧瓏;許淼
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/08;H01L29/423;H01L21/336
• 代理公司: 北京維澳專利代理有限公司11252
• 代理人: 王立民

1.一種遂穿場效應晶體管，其特征在于，包括：

半導體層；

第一柵介質層和第二柵介質層，分別位于半導體層的相對的兩個表面上；

源極區和漏極區，具有不同的摻雜類型，分別位于半導體層的兩側且與半導體層相接觸；

第一柵極和第二柵極，分別位于第一柵介質層和第二柵介質層上。

2.根據權利要求1所述的晶體管，其特征在于，所述半導體層的厚度不大于10nm。

3.根據權利要求1所述的晶體管，其特征在于，所述源極區和漏極區通過外延生長形成。

4.根據權利要求1所述的晶體管，其特征在于，所述源極區和漏極區分別位于半導體層和部分第一柵極、部分第二柵極的兩側，所述源極區和所述漏極區與第一柵極、第二柵極之間具有隔離層，以使第一柵極、第二柵極不覆蓋所述半導體層的全部。

5.根據權利要求4所述的晶體管，其特征在于，源漏接觸及第一柵極、第二柵極的接觸從同一側引出。

6.一種遂穿場效應晶體管的制造方法，其特征在于，包括步驟：

步驟S01，提供第一支撐襯底；

步驟S02，在第一支撐襯底上依次形成第一去除層、半導體層、第一柵介質層和第一柵極，以及在半導體層的兩側形成具有不同的摻雜類型、與半導體層相接觸的源極區和漏極區；步驟S03，形成覆蓋源極區、漏極區和第一柵極的介質層；

步驟S04，將介質層與第二支撐襯底鍵合；

步驟S05，以第二支撐襯底為支撐，去除第一支撐襯底以及第一去除層，并在半導體層上依次形成第二柵介質層和第二柵極；

步驟S06，完成器件的后續步驟。

7.根據權利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述第一支撐襯底為半導體襯底，所述步驟S02具體包括：

第一支撐襯底上依次形成有第一去除層、半導體層、第一柵介質層、第二去除層和第一掩膜層；

圖案化所述第一掩膜層和第二去除層，并在所述第一掩膜層和第二去除層側壁形成第三去除層；

在第一掩膜層及第三去除層的掩蔽下，去除第一柵介質層及其下的半導體層和第一去除層，并重新形成第二掩膜層，同時去除第一掩膜層；

在第二掩膜層和第三去除層的掩蔽下，去除第二去除層及其下的第一柵介質層、半導體層和第一去除層，并重新形成源極區和其上的第一介質層；

在第一介質層和第三去除層的掩蔽下，去除第二掩膜層，并重新形成漏極區和其上的第二介質層，源極區和漏極區具有不同的摻雜類型，源極區和漏極區與半導體層相接觸；

去除第三去除層以形成第一開口，在第一開口側壁形成第一隔離層，并填充第一開口以形成第一柵極。

8.根據權利要求7所述的制造方法，其特征在于，第一去除層為二氧化硅，半導體層為硅，第二去除層為多晶硅，第一掩膜層和第三去除層為氮化物，第二掩膜層為鍺硅。

9.根據權利要求6所述的制造方法，其特征在于，步驟S05的步驟具體為：以第二支撐襯底為支撐，去除第一支撐襯底以及第一去除層以形成第二開口，在半導體層上形成第二柵介質層，并在第二開口的側壁形成第二隔離層，并填充第二開口以形成第二柵極。

10.根據權利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述半導體層的厚度不大于10nm。

11.根據權利要求6所述的制造方法，其特征在于，在步驟S03之前還包括步驟：形成連接第一柵極的第一金屬層；

步驟S06包括：形成連接第二柵極的第二金屬層；

形成源漏接觸，以及分別與第一金屬層和第二金屬層連接的接觸。