[發明專利]閃存存儲單元的形成方法

有效

• 申請號: 201310315027.5
• 申請日: 2013-07-24
• 公開（公告）號: CN103400803A
• 公開（公告）日: 2013-11-20
• 發明（設計）人: 曹子貴;賈敏
• 申請（專利權）人: 上海宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/8247
• 分類號: H01L21/8247;H01L21/66
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種閃存存儲單元的形成方法，其特征在于，包括：

提供若干批次的半導體結構，所述半導體結構包括：襯底、位于所述襯底表面的隧穿氧化層、位于隧穿氧化層表面的浮柵層、位于浮柵層表面的犧牲層、以及位于所述犧牲層表面的掩膜層，所述掩膜層暴露出部分犧牲層表面；

以所述掩膜層為掩膜，采用各向異性的干法刻蝕工藝依次刻蝕各批次的犧牲層和部分浮柵層，在各批次的犧牲層和浮柵層內形成第一開口，其中，每一待刻蝕批次的刻蝕時間的確定方法包括：測試待刻蝕批次前一批次的犧牲層厚度，測試待刻蝕批次前一批次的浮柵層刻蝕厚度，測試待刻蝕批次的犧牲層厚度，通過待刻蝕批次前一批次的犧牲層厚度、待刻蝕批次前一批次的浮柵層刻蝕厚度、以及待刻蝕批次的犧牲層厚度獲得待刻蝕批次的刻蝕時間；

在所述各向異性的干法刻蝕工藝之后，采用各向同性的刻蝕工藝刻蝕第一開口的側壁和底部表面，使第一開口側壁的犧牲層和浮柵層表面相對于第一開口底部的浮柵層表面傾斜，且第一開口頂部的尺寸大于第一開口底部的尺寸。

2.如權利要求1所述的閃存存儲單元的形成方法，其特征在于，所述每一待刻蝕批次的刻蝕時間的確定方法包括：

測試待刻蝕批次的前一批次的犧牲層厚度，獲得犧牲層第一厚度T_Sn；

測試待刻蝕批次的前一批次的浮柵層刻蝕厚度，獲得浮柵層第一刻蝕厚度T_Pn；

測試待刻蝕批次的犧牲層厚度，獲得犧牲層第二厚度T_Sn+1；

采用犧牲層第一厚度T_Sn、浮柵層第一厚度T_Pn和犧牲層第二厚度T_Sn+1，獲取待刻蝕批次的刻蝕時間t_n+1=t_n*[1+(T_Sn+1-T_Sn+γ*△T_P)/(T_Sn+γT_Pn)]，其中，t_n為待刻蝕批次的前一批次的犧牲層和浮柵層的實際刻蝕時間，γ為犧牲層的刻蝕速率與浮柵層的刻蝕速率選擇比，△T_P為待刻蝕批次的浮柵層預設刻蝕厚度T_P與浮柵層第一厚度T_Pn的差，即△T_P=T_P-T_Pn。