[發(fā)明專利]一種暴露器件頂面和底面的封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310310373.4
• 申請日: 2013-07-23
• 公開（公告）號: CN104347431B
• 公開（公告）日: 2017-04-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 何約瑟;薛彥迅;魯軍;石磊;黃平;趙良
• 申請（專利權(quán)）人: 萬國半導(dǎo)體股份有限公司
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60;H01L23/495;H01L23/31;H01L23/367
• 代理公司: 上海信好專利代理事務(wù)所(普通合伙)31249
• 代理人: 張靜潔,徐雯瓊

1.一種暴露器件頂面和底面的封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，包含以下步驟：

步驟1，在一個晶圓上形成有多個芯片，每個芯片包含設(shè)置在晶圓頂面的頂部第一電極和頂部第二電極，以及設(shè)置在晶圓底面的一個底部電極；

步驟2，在晶圓頂面上對應(yīng)于各個頂部電極，分別形成有可導(dǎo)電的接觸體；

步驟3，在晶圓頂面進行封裝，形成覆蓋了每個芯片的頂面及接觸體的第一塑封體；

步驟4，對晶圓的底面進行研磨，直至將該晶圓減薄至設(shè)定的厚度；并將研磨后的晶圓切割為各個單顆的芯片；?

步驟5，設(shè)置一個可導(dǎo)電的框架，所述框架設(shè)有承載部分和圍繞該承載部分的相對的第一側(cè)和第三側(cè)，以及相對的第二側(cè)和第四側(cè)；該框架在第一側(cè)和第三側(cè)分別設(shè)有接觸部分與承載部分連接，并且所述接觸部分所在的平面高于所述承載部分所在的平面；

步驟6，將任意一個所述芯片的底面固定在框架的承載部分的頂面上，并形成芯片的底部電極與框架的承載部分及接觸部分之間的電性連接；?

步驟7，對連接了芯片的框架進行封裝，使得芯片上各個頂部電極的接觸體和框架上的接觸部分，分別留有暴露在封裝形成的第二塑封體頂面之外的表面，用以與外部器件進行電性連接；并且，還使得框架上所述承載部分的底面，留有暴露在所述第二塑封體底面之外的表面，用以進行散熱；

步驟8，在整個封裝結(jié)構(gòu)的頂面對應(yīng)各個接觸體和接觸部分的暴露表面，形成有鍍層作為相應(yīng)電極的引腳，實現(xiàn)與外部器件的電性連接，?其中，?與所述接觸部分電性連接的第一引腳分別延伸到第一側(cè)和第三側(cè)的邊緣，?與頂部第一電極電性連接的第二引腳延伸到第二側(cè)的邊緣但終止在遠離第一側(cè)和第三側(cè)的邊緣，?與頂部第二電極電性連接的第三引腳延伸到第四側(cè)的邊緣但終止在遠離第一側(cè)和第三側(cè)的邊緣。

2.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于：

步驟1中所述芯片是一種MOSFET芯片，設(shè)有頂部柵極、頂部源極和底部漏極。

3.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于：

步驟2中所述接觸體是形成在對應(yīng)頂部電極上并突出于芯片頂面的植球或凸塊。

4.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于：

研磨后所述晶圓的厚度為1mil或1mil以下。

5.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于：

步驟8中，與所述接觸部分電性連接的第一引腳分別延伸到第一側(cè)和第三側(cè)的邊緣，但終止在遠離第二側(cè)和第四側(cè)的邊緣；沿該框架四個角落的底部，還分別通過半刻蝕形成有缺口；所述缺口在封裝時由第二塑封體填充。

6.如權(quán)利要求1或5所述的制作方法，其特征在于：

所述框架的承載部分面積大于芯片的面積，所述芯片與承載部分之間的間隔空隙，在封裝時由第二塑封體填充。

7.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于：

在步驟7中所述芯片及框架的頂面被全部包裹在封裝形成的第二塑封體內(nèi)；通過從整個封裝結(jié)構(gòu)的頂面一起研磨，從而將所述接觸體和接觸部分的頂面暴露在第一塑封體和第二塑封體的頂面之外，并且使得所述接觸體、接觸部分、第一塑封體及第二塑封體的頂面都處在同一平面。

8.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于：

在所述步驟4研磨晶圓的底面之前，先在已封裝晶圓的頂面進行研磨，使得研磨后每個芯片上接觸體的頂面暴露在所述第一塑封體的頂面之外；

則在所述步驟7中封裝形成第二塑封體之前，先在所述芯片及框架的頂面覆蓋膠帶，從而在封裝時對接觸體及接觸部分需要暴露的表面進行保護；并且，在封裝后對整個封裝結(jié)構(gòu)的頂面進行去殘膠或研磨，使得所述芯片上接觸體和第一塑封體的頂面，與所述接觸部分及第二塑封體的頂面都處在同一平面。

9.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于：

通過調(diào)整所述鍍層在芯片及框架頂面上的分布位置，以及所述鍍層與相應(yīng)接觸體或接觸部分的連接關(guān)系，來實現(xiàn)整個封裝結(jié)構(gòu)表面電路圖案的再構(gòu)成。