[發明專利]一種新型的異質結太陽能電池

有效

• 申請號: 201310310101.4
• 申請日: 2013-07-23
• 公開（公告）號: CN103346192A
• 公開（公告）日: 2013-10-09
• 發明（設計）人: 崔艷峰;袁聲召
• 申請（專利權）人: 常州天合光能有限公司
• 主分類號: H01L31/072
• 分類號: H01L31/072;H01L31/028;H01L31/0392
• 代理公司: 常州市科誼專利代理事務所 32225
• 代理人: 孫彬

1.?一種新型的異質結太陽能電池，其特征在于，它包括：

一P型單晶硅襯底，其具有一正面和一背面；

一歐姆接觸層，位于P型單晶硅襯底的背面上；

一超晶格結構P+層，包括至少兩層沉積在一起的P+復合層，該P+復合層由下至上依次包括P+窄禁帶層和P+寬禁帶層，P+窄禁帶層的禁帶寬度Eg1＜1.2eV，P+寬禁帶層的禁帶寬度Eg2＞1.5eV，并且每層P+復合層中的P+寬禁帶層沉積在P+窄禁帶層的上表面上，最下層P+復合層的P+窄禁帶層沉積在P型單晶硅襯底的正面上；

一淺摻雜P型層，其沉積在最上層P+復合層的P+寬禁帶層的上表面上；

一鈍化層，其沉積在淺摻雜P型層的上表面上；

一超晶格結構N型層，包括至少兩層沉積在一起的N型復合層，該N型復合層由下至上依次包括N型寬禁帶層和N型窄禁帶層，N型窄禁帶層的禁帶寬度Eg3＜1.2eV，N型寬禁帶層的禁帶寬度Eg4＞1.5eV，并且每層N型復合層中的N型窄禁帶層沉積在N型寬禁帶層的上表面上，最下層N型復合層的N型寬禁帶層沉積在鈍化層的上表面上；

一透明導電膜層，其沉積在最上層N型復合層的N型窄禁帶層的上表面上；

一電極層，其位于透明導電膜層的上表面上。

2.根據權利要求1所述的一種新型的異質結太陽能電池，其特征在于：所述的P+窄禁帶層由a-Si_xGe_1-x:H材料或微晶硅薄膜制成。

3.根據權利要求1所述的一種新型的異質結太陽能電池，其特征在于：所述的P+寬禁帶層由a-Si_xC_1-x:H或a-Si_xN_1-x:H材料制成。

4.根據權利要求1所述的一種新型的異質結太陽能電池，其特征在于：所述的N型寬禁帶層由a-Si薄膜或a-Si_xC_1-x:H或a-Si_xN_1-x:H材料制成。

5.根據權利要求1所述的一種新型的異質結太陽能電池，其特征在于：所述的N型窄禁帶層由a-Si_xGe_1-x:H材料或微晶硅薄膜制成。

6.根據權利要求1所述的一種新型的異質結太陽能電池，其特征在于：所述的鈍化層為本征a-Si薄膜或SiO_x薄膜，并且鈍化層的厚度為5nm~10nm，所述的淺摻雜P型層的厚度為5μm~20μm。

7.根據權利要求1或2所述的一種新型的異質結太陽能電池，其特征在于：所述的P+窄禁帶層的厚度為1nm-20nm。

8.根據權利要求1或3所述的一種新型的異質結太陽能電池，其特征在于：所述的P+寬禁帶層的厚度為1nm-20nm。

9.根據權利要求1或4所述的一種新型的異質結太陽能電池，其特征在于：所述的N型寬禁帶層的厚度為1nm-20nm。

10.根據權利要求1或5所述的一種新型的異質結太陽能電池，其特征在于：N型窄禁帶層的厚度為1nm-20nm。