[發明專利]多磁片和磁通量都不均勻分布的轉盤式傳感元件有效
| 申請號: | 201310309421.8 | 申請日: | 2013-07-23 |
| 公開(公告)號: | CN103381874A | 公開(公告)日: | 2013-11-06 |
| 發明(設計)人: | 黃強 | 申請(專利權)人: | 成都寬和科技有限責任公司;黃強;高松;歐陽焱雄 |
| 主分類號: | B62M6/50 | 分類號: | B62M6/50;G01L3/00;G01P3/481 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 610000 四川省成都市龍泉驛區大面街道*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 磁片 磁通量 不均勻 分布 轉盤 傳感 元件 | ||
1.多磁片和磁通量都不均勻分布的轉盤式傳感元件,包括一塊轉動盤(1)和多枚永磁片(2),其特征在于:轉動盤(1)上粘貼有多枚永磁片(2),多枚永磁片(2)成圓環形分布,且多枚永磁片(2)成錯位分布,錯位分布是半徑錯位分布方式或間距錯位分布方式的某一種;或即有半徑錯位分布方式,又有間距錯位分布的組合方式;
半徑錯位分布方式是:該多個永磁片(2)分布在一個圓環形(6)范圍內,在圓環形(6)的內圓形軌跡線(5-1)與外圓形軌跡線(5-2)之間至少有一條圓形軌跡線貫穿全部永磁片(2);內圓形軌跡線(5-1)和外圓形軌跡線(5-2)為同心圓,至少有兩個永磁片(2)到內圓形軌跡線(5-1)所在圓中心的距離不相同;
間距錯位分布方式是:相鄰永磁片(2)之間的距離為磁片間距(7);至少有兩條磁片間距(7)的長短不相同;
在轉動盤(1)的某一面,相鄰永磁片(2)的磁極性相反,即轉動盤(1)的某一面上全部永磁片(2)的磁極性分布方式是N極、S極、?N極、S極、?N極、S極……;至少有兩枚永磁片(2)的磁通量不相同;
在有永磁片(2)的轉動盤(1)表面和永磁片(2)表面粘貼有挾持磁片層(8),永磁片(2)被挾持固定在轉動盤(1)與挾持磁片層(8)之間;
還包括一個霍爾(3),霍爾(3)位于轉動盤(1)的某一面,霍爾(3)設在接近永磁片(2)并能感受永磁片(2)磁通量的位置,霍爾(3)與永磁片(2)之間有間距;霍爾(3)是對相反磁極性產生矩形波輸出信號的霍爾。
2.根據權利要求1所述的多磁片和磁通量都不均勻分布的轉盤式傳感元件,其特征在于:霍爾(3)在接近永磁片(2)的那一端設有可撤卸的外套筒(9),外套筒(9)的筒側壁與霍爾(3)可撤卸的連接,外套筒(9)的筒底板(10)是永磁板或可導磁金屬板。
3.根據權利要求2所述的多磁片和磁通量都不均勻分布的轉盤式傳感元件,其特征在于:永磁片(2)的厚度為0.2~0.5毫米。
4.根據權利要求2所述的多磁片和磁通量都不均勻分布的轉盤式傳感元件,其特征在于:挾持磁片層(8)金融鋁薄板或塑料薄板的某一種。
5.根據權利要求2所述的多磁片和磁通量都不均勻分布的轉盤式傳感元件,其特征在于:挾持磁片層(8)是在有永磁片(2)的轉動盤(1)表面和永磁片(2)表面澆注粘接劑液,該粘接劑液凝固后成為固體層。
6.根據權利要求2所述的多磁片和磁通量都不均勻分布的轉盤式傳感元件,其特征在于:霍爾(3)設在內圓形軌跡線(5-1)與外圓形軌跡線(5-2)之間。
7.根據權利要求2所述的多磁片和磁通量都不均勻分布的轉盤式傳感元件,其特征在于:轉動盤(1)在多個永磁片(2)的內圓形軌跡線(5-1)所在圓范圍內設有中心孔。
8.根據權利要求1至7任何一項所述的多磁片和磁通量都不均勻分布的轉盤式傳感元件,其特征在于:至少有一個永磁片間距(7)的長度不等于其它任何一個永磁片間距(7),且至少有一個永磁片(2)的磁通量不等于其它任何一個永磁片(2)的磁通量。
9.根據權利要求8所述的多磁片和磁通量都不均勻分布的轉盤式傳感元件,其特征在于:轉動盤(1)是不導磁材料的塑料板、鋁材板、銅材板的某一種。
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