[發明專利]光柵分布反饋量子級聯激光器有效
| 申請號： | 201310308727.1 | 申請日： | 2013-07-22 |
| 公開（公告）號： | CN103368071A | 公開（公告）日： | 2013-10-23 |
| 發明（設計）人： | 張錦川;劉峰奇;卓寧;王利軍;劉俊岐;王占國 | 申請（專利權）人： | 中國科學院半導體研究所 |
| 主分類號： | H01S5/125 | 分類號： | H01S5/125;H01S5/20 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 曹玲柱 |
| 地址： | 100083 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 光柵 分布 反饋 量子 級聯 激光器 | ||
1.一種光柵分布反饋量子級聯激光器，其特征在于，包括：襯底；以及在該襯底上依次生長的下波導層，下光限制層，有源區，上光限制層，等效相移光柵，上波導層；?
其中，在所述上光限制層的上表面具有等效相移光柵，該等效相移光柵包括均勻光柵、采樣光柵和π相移結構。?
2.根據權利要求1所述的光柵分布反饋量子級聯激光器，其特征在于，所述等效相移光柵中：?
所述均勻光柵具有一級布拉格光柵周期，其激射模式處于零級透射位置；?
所述采樣光柵中，其每一個周期的均勻光柵部分和法布里珀羅部分構成一個采樣周期；?
所述π相移結構通過在所述采樣光柵的中心部分延展50％的采樣周期構成。?
3.根據權利要求2所述的光柵分布反饋量子級聯激光器，其特征在于，所述采樣光柵的周期為10～15μm，采樣占空比為20％～50％。?
4.根據權利要求2所述的光柵分布反饋量子級聯激光器，其特征在于，所述等效相移光柵層6的材料為InGaAs/InP，深度為0.1～0.15μm。?
5.根據權利要求1至4中任一項所述的光柵分布反饋量子級聯激光器，其特征在于：所述有源層由30～50個周期的InGaAs/InAlAs組成，其對應的激發波長為4～9μm。?
6.根據權利要求1至4中任一項所述的光柵分布反饋量子級聯激光器，其特征在于：?
所述下波導層的材料為n型摻雜的InP，層厚為1～2μm；?
所述上波導層的材料為n型摻雜的InP，層厚為3～5μm?。
7.根據權利要求6所述的光柵分布反饋量子級聯激光器，其特征在于：?
所述下波導層中n型摻雜的InP的摻雜濃度為2×1016～4×1016cm-3；?
所述上波導層中n型摻雜的InP的層厚和摻雜濃度按從上至下的順序?依次為2～3μm低摻InP，摻雜濃度為2×1016～4×1016cm-3；1～2μm高摻InP，摻雜濃度為5×1018～1×1019cm-3。?
8.根據權利要求1至4中任一項所述的光柵分布反饋量子級聯激光器，其特征在于：?
所述下光限制層的材料為n型摻雜的InGaAs，層厚為0.3～0.5μm；?
所述上光限制層的材料為n型摻雜的InGaAs，層厚為0.3～0.5μm。?
9.根據權利要求8所述的光柵分布反饋量子級聯激光器，其特征在于：?
所述下光限制層中n型摻雜的InGaAs的摻雜濃度為2×1016～4×1016cm-3。?
所述上光限制層中n型摻雜的InGaAs的摻雜濃度為摻雜濃度為2×1016～4×1016cm-3。?
10.根據權利要求1至4中任一項所述的光柵分布反饋量子級聯激光器，其特征在于：所述襯底為InP襯底，摻雜濃度為1×1017～3×1017cm-3。?
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