[發(fā)明專利]用于與VSCEL或PIN陣列耦合的光纖陣列及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310306602.5
• 申請日: 2013-07-19
• 公開（公告）號: CN103383482A
• 公開（公告）日: 2013-11-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 江永勝;阮景;羅志祥;朱志實
• 申請（專利權(quán)）人: 武漢博昇光電技術(shù)有限公司
• 主分類號: G02B6/42
• 分類號: G02B6/42
• 代理公司: 北京輕創(chuàng)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11212
• 代理人: 楊立

1.一種用于與VSCEL或PIN陣列耦合的光纖陣列，包括蓋片、刻槽基片和光纖微帶，所述光纖微帶包括具有施加光纖圖層的光纖微帶圖層部分和除去光纖圖層的裸露光纖微帶部分，所述刻槽基片上形成有用于放置所述裸露光纖微帶部分的V形刻槽，且所述裸露光纖微帶部分從所述V形刻槽的前端伸出，所述蓋片用于把所述裸露光纖微帶部分壓在所述V形刻槽上，所述刻槽基片、蓋片和裸露光纖微帶部分通過粘合劑連接固定，該V形刻槽的前端為V形刻槽與所述光纖微帶圖層部分相對的一端，其特征在于：所述蓋片的長度小于所述V形刻槽的長度，且所述蓋片的一端與所述V形刻槽朝向所述光纖微帶圖層部分的一端對齊；所述裸露光纖微帶部分的端面為傾斜角為45度的光學(xué)平面，且該光學(xué)平面朝向所述刻槽基片傾斜45度。?

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于與VSCEL或PIN陣列耦合的光纖陣列，其特征在于：所述粘合劑為紫外固化環(huán)氧樹脂。?

3.一種用于與VSCEL或PIN陣列耦合的光纖陣列的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：?

步驟一，提供一光纖微帶和一刻槽基片，將光纖微帶的一端的涂覆層剝離，并洗凈、切割，以成為潔凈的裸露光纖微帶部分，光纖微帶的另一端為光纖微帶圖層部分，所述刻槽基片上形成有用于放置所述裸露光纖微帶部分的V形刻槽，裸露光纖微帶部分的長度大于V形刻槽的長度；?

步驟二，將切割后的裸露光纖微帶部分排入所述刻槽基片的V形刻槽中，且裸露光纖微帶部分從所述V形刻槽的前端伸出，該V形刻槽的前端為V形刻槽與所述光纖微帶圖層部分相對的一端；?

步驟三，將一蓋片壓在裸露光纖微帶部分上，該蓋片的長度小于所述V形刻槽的長度，且所述蓋片的一端與V形刻槽朝向所述光纖微帶圖層部分的?一端對齊，將裸露光纖微帶部分、刻槽基片和蓋片連接固定；?

步驟四，使裸露光纖微帶部分的端部形成朝向一所述刻槽基片傾斜45度的斜面。?

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種用于與VSCEL或PIN陣列耦合的光纖陣列的制作方法，其特征在于：所述步驟三中通過點膠和固化將裸露光纖微帶部分、刻槽基片和蓋片連接固定。?

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種用于與VSCEL或PIN陣列耦合的光纖陣列的制作方法，其特征在于：點膠過程采用紫外固化環(huán)氧樹脂作為粘結(jié)劑。?

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種用于與VSCEL或PIN陣列耦合的光纖陣列的制作方法，其特征在于：所述步驟四的具體過程包括以下步驟，?

步驟a,將石蠟滴注在V形刻槽和位于所述蓋片前端的裸露光纖微帶部分上，使位于所述蓋片另一端的裸露光纖微帶部分和刻槽基片形成一個整體，該蓋片的前端為所述蓋片與所述光纖微帶圖層部分相對的一端；?

步驟b,對石蠟融合的整體端面進(jìn)行研磨，使得石蠟、裸露光纖微帶部分和/或刻槽基片的端部共同形成傾角為45°的斜面，且該斜面朝向所述刻槽基片所在的方位；?

步驟c,將石蠟融化使之脫離所述裸露光纖微帶部分和所述刻槽基片；?

步驟d,將所述裸露光纖微帶部分上殘留的石蠟清洗干凈。?

7.根據(jù)權(quán)利要求3至6任一所述的一種用于與VSCEL或PIN陣列耦合的光纖陣列的制作方法，其特征在于：所述裸露光纖微帶部分從所述V形刻槽的前端伸出的長度為1-3.5厘米。?

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種用于與VSCEL或PIN陣列耦合的光纖陣列的制作方法，其特征在于：所述裸露光纖微帶部分從所述V形刻槽的前端伸出的長度為2厘米。?

9.根據(jù)權(quán)利要求3至6任一所述的一種用于與VSCEL或PIN陣列耦合?的光纖陣列的制作方法，其特征在于：所述步驟五中采用光纖陣列精密研磨工藝對石蠟融合的整體端面進(jìn)行研磨。?

10.根據(jù)權(quán)利要求3至6任一所述的一種用于與VSCEL或PIN陣列耦合的光纖陣列的制作方法，其特征在于：所述步驟七中采用清潔劑溶解殘留物，再用酒精將裸光纖微帶清洗干凈。?