[發明專利]封裝基板、覆晶式封裝及其制造方法

有效

• 申請號: 201310306505.6
• 申請日: 2013-07-19
• 公開（公告）號: CN103367304A
• 公開（公告）日: 2013-10-23
• 發明（設計）人: 蕭友享;楊秉豐;邵郁琇;林光隆
• 申請（專利權）人: 日月光半導體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L21/60
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 陸勍

1.一種封裝基板，包括：

一基板本體，具有相對的一第一基板表面與一第二基板表面；

多數個金屬導線，配置在該基板本體的該第一基板表面上，該些金屬導線各具有一上導線表面與至少一個側導線表面；以及

一薄膜，形成在該些金屬導線的該至少一個側導線表面上，其中所述薄膜對焊料的潤濕性小于所述上導線表面。

2.如權利要求1所述的封裝基板，其中該薄膜的材質包括介電材料。

3.如權利要求1所述的封裝基板，其中該薄膜的材質包括該些金屬導線的氧化物。

4.一種覆晶式封裝，包括：

一晶粒，具有相對的一第一晶粒表面與一第二晶粒表面，該第一晶粒表面具有多數個連接墊；

多數個導電柱，配置在該些連接墊上并電性連接至該些連接墊；

一基板本體，具有相對的一第一基板表面與一第二基板表面；

多數個金屬導線，配置在該基板本體的該第一基板表面上，該些金屬導線各具有一上導線表面與至少一個側導線表面；

一薄膜，形成在該些金屬導線的該至少一個側導線表面上，其中所述薄膜對焊料的潤濕性小于所述上導線表面；以及

多數個焊料層，配置在該些金屬導線的該些上導線表面與該些導電柱之間，并電性連接該些導電柱與該些金屬導線。

5.如權利要求4所述的覆晶式封裝，其中該薄膜的材質包括介電材料。

6.如權利要求4所述的覆晶式封裝，其中該薄膜的材質包括該些金屬導線的氧化物。

7.如權利要求4所述的覆晶式封裝，其中該薄膜的厚度介于0.1至1.0微米。

8.如權利要求4所述的覆晶式封裝，其中該些金屬導線各具有一導線寬度，該些導電柱各具有一柱寬度，該柱寬度除以該導線寬度的值是介于0.8～2.5。

9.一種封裝基板的制造方法，包括：

提供一基板本體，該基板本體具有相對的一第一基板表面與一第二基板表面；

于該基板本體的該第一基板表面上形成多數個金屬導線，該些金屬導線各包括至少一可氧化金屬層與一抗氧化金屬層，該些抗氧化金屬層位在該些金屬導線的上部分；以及

對該些金屬導線進行氧化工藝，以在該些金屬導線的該些可氧化金屬層的該至少一個側導線表面上形成一薄膜。

10.如權利要求9所述的封裝基板的制造方法，其中該可氧化金屬層的材質包括銅、鋁，該抗氧化金屬層的材質包括金、鈀或鉑。

11.如權利要求9所述的封裝基板的制造方法，其中該些金屬導線各包括一圖案化種子層，該些金屬導線的形成方法包括：

于該基板本體的該第一基板表面上形成一種子層；

于該種子層上形成一圖案化光阻，該圖案化光阻具有數個光阻開口；

從該圖案化光阻的該些光阻開口露出的該種子層形成該些可氧化金屬層；

于該些可氧化金屬層上形成該些抗氧化金屬層；

移除該圖案化光阻；以及

移除該種子層未被該些可氧化金屬層遮蓋的部分，以形成該些圖案化種子層。

12.一種覆晶式封裝的制造方法，包括：

提供一晶粒，該晶粒具有相對的一第一晶粒表面與一第二晶粒表面，該第一晶粒表面具有多數個連接墊；

配置多數個導電柱在該些連接墊上并電性連接至該些連接墊；

配置多數個焊料材料在該些導電柱上；

提供一基板本體，該基板本體具有相對的一第一基板表面與一第二基板表面；

于該基板本體的該第一基板表面上形成多數個金屬導線，該些金屬導線各包括至少一可氧化金屬層與一抗氧化金屬層，該抗氧化金屬層位在該些金屬導線的上部分；

對該些金屬導線進行氧化工藝，以在該些金屬導線的該可氧化金屬層的側導線表面上形成一薄膜；

將該些焊料材料接觸該些金屬導線的上表面；以及

進行一接合步驟，以將該些焊料材料轉變成多數個焊料層，該些焊料層物理連接并電性連接至該些金屬導線，其中在該接合步驟中，該些焊料層的流動是局限在該些薄膜的上表面。

13.如權利要求12所述的覆晶式封裝的制造方法，其中該可氧化金屬層的材質包括銅、鋁，該抗氧化金屬層的材質包括金、鈀或鉑，該接合步驟是將該些焊料材料與該抗氧化金屬層轉變成該焊料層，該焊料層包括介金屬化合物。