[發明專利]一種納米氧化鋅定向陣列的制備方法有效
| 申請號： | 201310306421.2 | 申請日： | 2013-07-22 |
| 公開（公告）號： | CN103395823A | 公開（公告）日： | 2013-11-20 |
| 發明（設計）人： | 鐘敏 | 申請（專利權）人： | 中國計量學院 |
| 主分類號： | C01G9/02 | 分類號： | C01G9/02;B82Y40/00;C23C18/12 |
| 代理公司： | 杭州求是專利事務所有限公司 33200 | 代理人： | 韓介梅 |
| 地址： | 310018 浙江省*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 納米 氧化鋅 定向 陣列 制備 方法 | ||
1.一種納米氧化鋅定向陣列的制備方法，其特征在于包括以下步驟：
(1)將0.1mol/L~0.5mol/L的Zn鹽水溶液和質量濃度1%~1.5%的聚乙烯基吡咯烷酮水溶液按Zn2+/聚乙烯基吡咯烷酮摩爾比為2：1～1：2混合，得到混合溶液；
(2)將氨水滴入步驟(1)制備的混合溶液中，調節混合溶液的pH值為10~11，得到聚乙烯基吡咯烷酮-Zn(OH)2絡合溶液；
(3)將表面極化處理過的拋光潔凈硅（100）襯底水平浸入步驟(2)配置好的聚乙烯基吡咯烷酮-Zn(OH)2絡合溶液,保溫3h，取出硅片;
(4)將步驟(3)取出的硅片放在剛玉舟上，置于管式爐中，在20ml/min~60ml/min的氧氣流速下，以5℃/min的加熱速率升溫到420℃氧化燒結0.5~1.5h；
(5)硅片自然降溫至室溫后用90℃去離子水反復沖洗，于空氣中晾干，得到納米氧化鋅定向陣列。
2.根據權利要求1所述的納米氧化鋅定向陣列的制備方法，其特征在于步驟（1）中所說的Zn鹽為Zn(CH3COO)2·2H2O、ZnCl2或Zn(NO3)2。
3.根據權利要求1所述的納米氧化鋅定向陣列的制備方法，其特征在于步驟（1）中所說的聚乙烯基吡咯烷酮的平均分子量為1000~1300000。
4.根據權利要求1所述的納米氧化鋅定向陣列的制備方法，其特征在于步驟(3)所說的拋光潔凈硅為N型，厚度440μm，電阻率為10-2~10-3Ω·cm，晶向為<100>。
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