[發(fā)明專利]絕緣柵雙極型晶體管及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310306115.9
• 申請日: 2013-07-19
• 公開（公告）號: CN104299989B
• 公開（公告）日: 2018-06-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 鄧小社;鐘圣榮;周東飛;王根毅
• 申請（專利權(quán)）人: 無錫華潤上華科技有限公司
• 主分類號: H01L29/739
• 分類號: H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331
• 代理公司: 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 鄧云鵬

1.一種絕緣柵雙極型晶體管，包括N型襯底、IGBT正面結(jié)構(gòu)、形成于N型襯底背面的P+層以及形成于P+層上遠(yuǎn)離N型襯底一側(cè)的背面金屬層，其特征在于，所述N型襯底和IGBT正面結(jié)構(gòu)之間還具有一層N+載流子增強(qiáng)區(qū)，所述IGBT正面結(jié)構(gòu)形成于所述N+載流子增強(qiáng)區(qū)上；所述IGBT正面結(jié)構(gòu)包括MOS結(jié)構(gòu)和形成于MOS結(jié)構(gòu)周圍的P環(huán)結(jié)構(gòu)，所述MOS結(jié)構(gòu)和所述P環(huán)結(jié)構(gòu)形成于所述N+載流子增強(qiáng)區(qū)上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于，所述N+載流子增強(qiáng)區(qū)的摻雜濃度為1E15～1E16cm^-3。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于，所述N+載流子增強(qiáng)區(qū)的厚度為8μm～12μm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于，所述N型襯底的晶向?yàn)椋?00＞。

5.一種絕緣柵雙極型晶體管制造方法，其特征在于，所述絕緣柵雙極型晶體管制造方法包括如下步驟：

提供一個N型襯底；

在所述N型襯底上注入一層N型離子形成N+載流子增強(qiáng)區(qū)；

在所述N+載流子增強(qiáng)區(qū)上形成IGBT正面結(jié)構(gòu)；所述IGBT正面結(jié)構(gòu)包括MOS結(jié)構(gòu)和形成于MOS結(jié)構(gòu)周圍的P環(huán)結(jié)構(gòu)；

減薄所述N型襯底，在所述N型襯底的背面上進(jìn)行P型雜質(zhì)注入形成P+層；

在所述P+層上淀積金屬，形成背面集電極的背面金屬層。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的絕緣柵雙極型晶體管制造方法，其特征在于，所述N型離子為磷。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的絕緣柵雙極型晶體管制造方法，其特征在于，所述磷離子注入時的注入能量為40～160KeV，注入劑量為1E11～1E13cm^-2。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的絕緣柵雙極型晶體管制造方法，其特征在于，所述N型襯底的晶向?yàn)椋?00＞。