[發(fā)明專利]半導(dǎo)體芯片的制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310306051.2
• 申請(qǐng)日: 2013-07-19
• 公開（公告）號(hào): CN104299888B
• 公開（公告）日: 2017-07-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 馬萬里;陳兆同
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北大方正集團(tuán)有限公司;深圳方正微電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/02
• 分類號(hào): H01L21/02;H01L21/306
• 代理公司: 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11205
• 代理人: 劉芳

1.一種半導(dǎo)體芯片的制作方法，其特征在于，包括：

在襯底表面生長(zhǎng)氧化保護(hù)層；

采用光刻膠掩膜刻蝕工藝，在所述氧化保護(hù)層和襯底中刻蝕形成第一臺(tái)階的圖案；

在上述襯底表面生長(zhǎng)側(cè)墻保護(hù)層；

對(duì)所述側(cè)墻保護(hù)層進(jìn)行刻蝕，在所述第一臺(tái)階的側(cè)壁保留側(cè)墻保護(hù)層，以形成側(cè)墻；

在所述氧化保護(hù)層和側(cè)墻的掩膜下，對(duì)所述襯底進(jìn)行刻蝕，形成第二臺(tái)階的圖案；

去除所述氧化保護(hù)層和側(cè)墻；

在所述去除所述氧化保護(hù)層和側(cè)墻之前，還包括：

重復(fù)執(zhí)行所述生長(zhǎng)側(cè)墻保護(hù)層、刻蝕側(cè)墻和刻蝕第二臺(tái)階圖案的步驟，以形成兩個(gè)以上第二臺(tái)階；

在所述去除所述氧化保護(hù)層和側(cè)墻之前，還包括：

在所述襯底上采用光刻膠掩膜刻蝕工藝，刻蝕形成至少兩個(gè)第三臺(tái)階，所述至少兩個(gè)第三臺(tái)階的寬度不等。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于:

所述襯底為硅襯底，所述氧化保護(hù)層的材料為二氧化硅，所述側(cè)墻保護(hù)層的材料為氮化硅。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述在上述襯底表面生長(zhǎng)側(cè)墻保護(hù)層包括：

在上述襯底表面生長(zhǎng)厚度等于第二臺(tái)階寬度的側(cè)墻保護(hù)層。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，對(duì)所述側(cè)墻保護(hù)層進(jìn)行刻蝕，在所述第一臺(tái)階的側(cè)壁保留側(cè)墻保護(hù)層，以形成側(cè)墻包括：

對(duì)氮化硅材料的側(cè)墻保護(hù)層，采用三氟甲烷進(jìn)行干法刻蝕，在所述第一臺(tái)階的側(cè)壁保留側(cè)墻保護(hù)層，以形成側(cè)墻。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述氧化保護(hù)層的厚度為0.1～1.0um。