[發(fā)明專利]一種高深寬比TSV種子層制作方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310305866.9
• 申請(qǐng)日: 2013-07-22
• 公開（公告）號(hào): CN103346122A
• 公開（公告）日: 2013-10-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 薛愷;于大全
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 華進(jìn)半導(dǎo)體封裝先導(dǎo)技術(shù)研發(fā)中心有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/768
• 分類號(hào): H01L21/768
• 代理公司: 上海海頌知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31258
• 代理人: 任益

1.一種高深寬比TSV種子層制作方法，其特征在于包括以下步驟：?

在晶圓襯底上進(jìn)行TSV制作和絕緣層淀積；?

利用PVD工藝在襯底表面和TSV孔內(nèi)淀積銅種子層；

（3）回流過程，即在真空或低氣壓環(huán)境下加熱至200-800℃使銅種子層流動(dòng)性增加，晶圓正面朝上放置，使銅種子層由TSV口部向下流動(dòng)，消除TSV底部的側(cè)壁處的銅種子層中斷，使得銅種子層沿TSV側(cè)壁和底部均勻分布。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TSV種子層制作方法，其特征在于所述回流過程中輔以等離子體由上而下方向轟擊TSV孔。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TSV種子層制作方法，其特征在于所述種子層的材料還可以是鎢、鋁等。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的TSV種子層制作方法，其特征在于所述TSV的孔徑在5微米以上，深寬比不小于6的范圍。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的TSV種子層制作方法，其特征在于所述低氣壓環(huán)境的氣壓值小于10²Pa，回流溫度在200-800℃范圍。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的TSV種子層制作方法，其特征在于在利用PVD工藝在襯底表面和TSV孔內(nèi)淀積銅種子層之前先淀積一層阻擋層。