[發明專利]一種提高太陽能電池轉化效率的方法無效
| 申請號: | 201310304598.9 | 申請日: | 2013-07-18 |
| 公開(公告)號: | CN104300031A | 公開(公告)日: | 2015-01-21 |
| 發明(設計)人: | 郭翠麗 | 申請(專利權)人: | 北京中科信電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;B41M1/12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 提高 太陽能電池 轉化 效率 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種太陽能電池的技術領域,本方法可以降低生產成本,提高太陽能電池片效率,而且易于規模化生產。
背景技術
進入21世紀,人類越來越深刻的認識到:化石燃料終將枯竭,尋找新的能源勢在必行。在各種已知的新能源中,太陽能光伏發電由于其先天優勢,引起了全世界的注視,并在全球掀起了一股應用光伏發電系統的熱潮。光伏產業的前景無限美好。
絲網印刷技術是低成本太陽能電池產業化生產的關鍵技術,其主要技術進步與電極漿料及網版制版技術緊密相聯。電極漿料技術進步是提升電池效率的捷徑,也是一些實驗室技術向產業化轉換的關鍵。根據電池表面擴散薄層方塊電阻、擴散結深以及表面減反射膜厚度與密度等開發相對應的漿料已經成為國際一流光伏企業領先同行的一個有力武器:如摻P的正銀漿料實現低成本的選擇性發射極技術;向漿料中添加添加劑實現80~100um細柵技術;配合超薄片的低翹曲背鋁漿料等等。
一些高效電池研究,如MWT、SE、PERC、離子注入等等成本一直居高不下。所以生產及工藝人員也做了很大的努力,為了提高太陽能電池轉化效率降低太陽能電池生產成本。
發明內容
本發明專利即是針對上述現有技術中存在的問題而提出的一種結構簡單、實現可靠的,并且可以提高太陽能轉化效率的新方法。
本發明專利通過以下技術方案來實現:
一種提高太陽能電池轉化效率的方法,包括電池片絨面的制作(1)、p-n結的制作(2)、刻蝕(3)、磷硅玻璃去除(4)PECVD鍍膜鈍化(5)絲網印刷(6)、燒結(7)。
所述的一種提高太陽能電池轉化效率的方法,
絲網印刷(6),與常規太陽能電池印刷不同,無需采用背電極銀漿,降低生產成本。
絲網印刷(6),與常規太陽能電池印刷不同,其網版采用全鋁背場網版。
絲網印刷(6),與常規太陽能電池印刷不同,其采用錫漿代替背銀和鋁漿。
相對現有技術,本發明所述電路的有益效果在于:
1只改變絲網印刷來解決提高太陽能電池效率,變動較小,易于實施。
2可以實現規模化,利于生產,減少印刷B片。
3減少背電極印刷,無需背銀漿料,降低生產成本。
4在不影響組件焊接的條件下,提高背場鈍化效果,從而提高電池片轉化效率。
附圖說明
圖1是本發明所述的工序流程圖;
具體實施方式
一種提高太陽能電池轉化效率的方法:
參見圖1:該方法包括
電池片絨面的制作(1)、擴散p-n結的制作(2)、刻蝕(3)、磷硅玻璃去除(4)、PECVD鍍膜鈍化(5)絲網印刷(6)、燒結(7)。
1提供多晶156原始硅片,進行絨面結構制備:采用混合酸制絨,氫氟酸∶硝酸=1∶3-5,制絨絨面控制,反射率:15-22%;
2擴散:進行p-n結制備,擴散溫度:700-860℃,擴散總時間:70min,方阻:50-90Ω/□,結深:300-500nm;
3rena濕法刻蝕:周邊刻蝕并進行磷硅玻璃清洗。
4PECVD鍍膜:進行硅片表面鈍化處理,膜厚:76-85nm,折射率:2.01-2.2;
5絲網印刷:進行正電極和背場印刷,無需背電極印刷;
6燒結:對印刷后電池片進行燒結,形成銀硅合金結構。
步驟1中所述,氫氟酸和硝酸的濃度分別為:濃度為70%的HNO3和濃度為50%的HF,體積比為1∶3-5,制絨溫度控制:0-10℃,制絨反射率:15-22%。
步驟3中所述,刻蝕采用濕法刻蝕,將磷擴散后的硅片浸入體積百分含量為5%的氫氟酸(濃度為50%)溶液中清洗去除磷擴散后的磷硅玻璃層。
步驟4中所述:采用PECVD鍍膜,膜要致密,采用雙層膜進行鈍化,鈍化后反射率:小于8%,膜厚:76-85nm,折射率:2.01-2.2;
步驟5中所述,無需背電極印刷,由于鋁背場不再需要背電極的開孔位置,背場漿料采用錫漿,背場在不影響組件焊接條件下提高背場鈍化效果,所以整面性的鋁背場可以增加開路電壓進而提升電池片效率,新的背場接觸結構可以實現大約0.2%的效率提升。
以上所述已對本發明的內容做了詳盡說明。對本領域一般技術人員而言,在不背離本發明精神的前提下對它所做的任何顯而易見的改動,都構成對本發明專利的侵犯,將承擔相應的法律責任。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





