[發明專利]一種具有電極反射層的 LED 芯片及其制作方法有效
| 申請號： | 201310304382.2 | 申請日： | 2013-07-18 |
| 公開（公告）號： | CN103390711A | 公開（公告）日： | 2013-11-13 |
| 發明（設計）人： | 武樂可;胡國兵;邱國安;曹小明;葉關興 | 申請（專利權）人： | 江蘇中谷光電股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/40 | 分類號： | H01L33/40;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京商專永信知識產權代理事務所(普通合伙) 11400 | 代理人： | 高之波;鄔玥 |
| 地址： | 226000 江蘇省南通市南通*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 具有 電極 反射層 led 芯片 及其 制作方法 | ||
1.一種具有電極反射層的LED芯片制作方法，其特征在于，包括以下步驟，
S1，在襯底（1）上依次生長N型GaN層（2）、量子阱層（3）和P型GaN層（4）；
S2，采用刻蝕工藝使部分N型GaN層（2）裸露；
S3，于所述P型GaN層（4）以及裸露的N型GaN層（2）上分別蒸鍍導電層（5），并預留有電極區域；
S4，于預留的電極區域蒸鍍電極反射層（6）；
S5，在所述電極反射層（6）和所述導電層（5）上蒸鍍金屬電極（7），所述電極（7）與所述導電層（5）接觸。
2.根據權利要求1所述的一種具有電極反射層的LED芯片制作方法，其特征在于，所述電極反射層（6）為DBR反射層。
3.根據權利要求2所述的一種具有電極反射層的LED芯片制作方法，其特征在于，所述DBR反射層由SiO2和TiO2兩種薄膜材料周期性堆疊而成。
4.根據權利要求1所述的一種具有電極反射層的LED芯片制作方法，其特征在于，所述電極反射層（6）為銀反射層或鋁反射層，所述銀反射層或鋁反射層的厚度為150～250nm。
5.根據權利要求1所述的一種具有電極反射層的LED芯片制作方法，其特征在于，所述導電層（5）設置于所述電極反射層（6）的周向。
6.一種具有電極反射層的LED芯片，其特征在于，從下至上依次包括襯底（1）、N型GaN層（2）、量子阱層（3）和P型GaN層（4），所述N型GaN層（2）和所述P型GaN層（4）上均設有導電層（5）和電極反射層（6），所述電極反射層（6）上設有電極（7），所述電極（7）與所述導電層（5）接觸。
7.根據權利要求6所述的一種具有電極反射層的LED芯片，其特征在于，所述電極反射層（6）為DBR反射層。
8.根據權利要求7所述的一種具有電極反射層的LED芯片，其特征在于，所述DBR反射層由SiO2和TiO2兩種薄膜材料周期性堆疊而成。
9.根據權利要求6所述的一種具有電極反射層的LED芯片，其特征在于，所述電極反射層（6）為銀反射層或鋁反射層，所述銀反射層或鋁反射層的厚度為150～250nm。
10.根據權利要求6所述的一種具有電極反射層的LED芯片，其特征在于，所述導電層（5）設置于所述電極反射層（6）的周向。
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