[發明專利]一種基于碲化鎘量子點光致發光的非接觸式測溫方法有效
| 申請號: | 201310304067.X | 申請日: | 2013-07-18 |
| 公開(公告)號: | CN103411703A | 公開(公告)日: | 2013-11-27 |
| 發明(設計)人: | 李本強;李陽陽;丁海濤;江新兵;于偉 | 申請(專利權)人: | 西安交通大學 |
| 主分類號: | G01K11/20 | 分類號: | G01K11/20 |
| 代理公司: | 西安智大知識產權代理事務所 61215 | 代理人: | 賀建斌 |
| 地址: | 710049*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 基于 碲化鎘 量子 光致發光 接觸 測溫 方法 | ||
1.一種基于碲化鎘量子點光致發光的非接觸式測溫方法,其特征在于,包括以下步驟:
第一步,光譜成像系統的組成安裝,顯微物鏡(4)正上方安置有顯微鏡加熱臺(3),樣品(1)固定在顯微鏡加熱臺(3)上面,樣品(1)的實時溫度由熱電偶(2)測得,汞燈(9)發射出的紫外光通過激發光濾鏡(8)得到波長為340~390nm的激發光(6),激發光(6)經過二色分光鏡(7)反射后通過顯微物鏡(4)聚焦至樣品(1)上,樣品(1)的發射光(5)經過顯微物鏡(4)收光后依次透過二色分光鏡(7)和發射光濾鏡(10),由聚光鏡(11)聚焦后經平面反射鏡(12)反射至影像光柵光譜儀(13),影像光柵光譜儀最終將光信號傳輸給CCD相機(14)做后續處理;
第二步,半導體碲化鎘(CdTe)量子點的合成與樣品1制備,半導體CdTe量子點的合成采用自下而上的水相化學合成法,采用乙酸鎘水合物(Cd(CH3COO)2·2H2O)水溶液作為鎘源(Cd2+),亞碲酸鉀(K2TeO3)水溶液作為碲源(Te4+),兩者以1:1的體積比各50ml混合后加入巰基乙酸(TGA)18ul作為穩定劑,加入硼氫化鈉(NaBH4)80mg作為還原劑,最終組成前驅體溶液,通過控制前驅體溶液的冷凝回流反應時間4h,得到光致發光為綠色的CdTe量子點,樣品(1)的制備,樣品(1)的制備選擇載玻片作為襯底材料,其表面做清潔處理,在透明剛性基材(15)表面旋涂有機聚合物硅膠材料PDMS(16),取25uL濃度為0.2mmol/L的CdTe量子點膠體溶液(19)滴加至PDMS(16)層中央,80℃下加熱10min;
第三步,溫度標定,在光譜成像系統中,通過調節顯微鏡加熱臺(3)的設定溫度可以獲得已知的不同溫度下量子點光譜的峰值波長、發光強度和半峰寬,將不同溫度下的光致發光光譜進行高斯擬合,提取出峰值波長、發光強度和半峰寬信號,將提取的信號與溫度一一對應并做線性擬合,最終得到峰值波長—溫度、發光強度—溫度和半峰寬—溫度三大溫度標定曲線;
第四步,對微電極焦耳熱、微流體傳熱及細胞體溫度進行測量,
1)微電極的制備,采用表面絕緣的透明剛性基材(15)作為基底,在其表面做清潔處理,旋涂一層厚度為300nm的EPG533光刻膠(17)光刻工藝實現微電極的負圖案,之后采用濺射工藝濺射一層厚度為200nm的鋁,最后用Lift-off工藝實現微電極(18)的圖形結構,將10uL濃度為0.2mmol/L?CdTe量子點膠體溶液(19)滴加到微電極(18)中間部位,電極兩端加電產生焦耳熱;
2)微流道的制備,采用透明剛性基材(15)為基底,清潔處理后在表面旋涂一層厚度為100um的有機聚合物硅膠材料PDMS(16),通過軟壓印方法在PDMS上實現微流道結構,微流道結構寬550um,深50um,50uL濃度為0.2mmol/L?CdTe量子點膠體溶液(19)事先均勻分散在流體(21)中,通過注射方法將流體引入微流道中;
3)細胞體吞噬量子點的過程,在透明剛性基材(15)上平鋪一層細胞培養基(22),將150uL濃度為0.68mg/mL的CdTe量子點分散到細胞培養基(22)中,加入細胞(23)后,經過24h的培養,通過細胞的內吞作用使量子點在細胞體均勻分散。
2.根據權利要求1所述的一種基于碲化鎘量子點光致發光的非接觸式測溫方法,其特征在于:所述的影像光柵光譜儀(13)狹縫寬度200um。
3.根據權利要求1所述的一種基于碲化鎘量子點光致發光的非接觸式測溫方法,其特征在于:CCD相機(14)曝光時間為1s。
4.根據權利要求1所述的一種基于碲化鎘量子點光致發光的非接觸式測溫方法,其特征在于:所述的測溫對象為微小系統,基材為透明,測溫范圍為室溫到300℃。
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