[發(fā)明專利]實(shí)現(xiàn)電容屏阻抗降低的方法及電容屏

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310303002.3
• 申請(qǐng)日: 2013-07-18
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103412694A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-11-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 向火平
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 向火平
• 主分類號(hào): G06F3/044
• 分類號(hào): G06F3/044
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及電容屏設(shè)計(jì)技術(shù)，尤其涉及一種實(shí)現(xiàn)電容屏阻抗降低的方法，更涉及一種滿足該方法的電容屏。

背景技術(shù)

電容式觸摸屏是在玻璃表面鍍上一層透明的特殊金屬導(dǎo)電物質(zhì)。當(dāng)手指觸摸在金屬層上時(shí)，觸點(diǎn)的電容就會(huì)發(fā)生變化，使得與之相連的振蕩器頻率發(fā)生變化，通過(guò)測(cè)量頻率變化可以確定觸摸位置獲得信息。如果電容屏的通道阻值過(guò)大，將會(huì)影響IC的識(shí)別能力，常規(guī)方法就是降低材料的面阻值(如從80-100歐降低到30-60歐)。此種方法有兩種實(shí)現(xiàn)PATTERN方式，一是黃光工藝，將PATTERN間隙改為0.03以下后做曝光顯影蝕刻。此種方法因間隙做到0.03mm以下，可能更少這樣就有很多地方可能存在導(dǎo)通。而是將材料做消影處理，將材料做到30-60歐或者更低時(shí)，消影效果不好，消影成本高。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于，針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種實(shí)現(xiàn)電容屏阻抗降低的方法，通過(guò)圖案表面鍍金屬使電容屏的通道阻值降低，解決因通道過(guò)長(zhǎng)電阻超高造成的IC無(wú)法驅(qū)動(dòng)問(wèn)題；本發(fā)明還提供一種滿足該方法的電容屏。

為有效解決上述問(wèn)題，本發(fā)明采取的技術(shù)方案如下：

一種實(shí)現(xiàn)電容屏阻抗降低的方法，該方法包括以下步驟：

(1)由ITO玻璃/膜基板及邊緣導(dǎo)通電路組成電容屏，在所述ITO玻璃或膜基板上制作圖案；

(2)將制作完成的圖案表面進(jìn)行鍍金屬處理；

(3)將鍍金屬處理完成的ITO玻璃或膜基板進(jìn)行表面處理；

(4)烘烤成型，將鍍金屬完成的電容屏經(jīng)烘烤干燥后覆上保護(hù)膜，完成電鍍過(guò)程并封裝成型。

特別的，所述步驟(1)還包括以下步驟：

將需要制作圖案的的ITO玻璃或膜基板清洗干凈后，做保護(hù)處理并在制作的圖案之間留出不大于0.03mm的間隙。

特別的，所述步驟(2)還包括以下步驟：

在鍍金屬處理后，可根據(jù)電容屏的功能設(shè)定標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行活化、清洗、蝕刻及化學(xué)鍍金處理，將電容屏金屬區(qū)域的走線及局部控制電路走線實(shí)施完成。

特別的，所述步驟(3)還包括以下步驟：

所述表面處理過(guò)程通過(guò)水洗及無(wú)腐蝕性的化學(xué)制劑結(jié)合使用，去除所述ITO玻璃或膜基板上的金屬殘留物。

特別的，所述步驟(4)還包括以下步驟：

在圖案上鍍金屬完成后的ITO玻璃或膜基板經(jīng)貼合后組成電容屏樣板，并在該樣板上覆蓋保護(hù)玻璃或保護(hù)膜組成完成的電容屏。

一種滿足上述方法的電容屏，該電容屏由基板及設(shè)置在基板邊緣的布線區(qū)域組成，所述基板由由ITO玻璃/膜基板組成，所述ITO玻璃/膜基板表面包括規(guī)則的幾何圖案，該幾何圖案上包括鍍金層。

特別的，所述布線區(qū)域包括垂直交互的兩組電極及多組組合排布的導(dǎo)通電路，所述導(dǎo)通電路及與之相連的電極通過(guò)化學(xué)鍍金屬形成鍍金屬層實(shí)現(xiàn)走線分布。

本發(fā)明的有益效果：本發(fā)明提供的實(shí)現(xiàn)電容屏阻抗降低的方法，通過(guò)圖案表面鍍金屬使電容屏的通道阻值降低，解決因通道過(guò)長(zhǎng)電阻超高造成的IC無(wú)法驅(qū)動(dòng)問(wèn)題；本發(fā)明還提供一種滿足該方法的電容屏，不會(huì)因間隙做到0.03mm以下，造成很多地方可能存在導(dǎo)通的情況，亦不會(huì)影響到消影效果，有效控制產(chǎn)品成本。

下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。

附圖說(shuō)明

圖1是本發(fā)明公開(kāi)的實(shí)現(xiàn)電容屏阻抗降低的方法流程圖；

圖2是本發(fā)明公開(kāi)的電容屏組成結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

實(shí)施例：

如圖1及圖2所示，本實(shí)施例中的實(shí)現(xiàn)電容屏阻抗降低的方法包括以下步驟：

一種實(shí)現(xiàn)電容屏阻抗降低的方法，該方法包括以下步驟：

(1)由ITO玻璃/膜基板及邊緣導(dǎo)通電路組成電容屏，在所述ITO玻璃或膜基板上制作圖案；將需要制作圖案的的ITO玻璃或膜基板清洗干凈后，做保護(hù)處理并在制作的圖案之間留出不大于0.03mm的間隙。

(2)將制作完成的圖案表面進(jìn)行鍍金屬處理；在鍍金屬處理后，可根據(jù)電容屏的功能設(shè)定標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行活化、清洗、蝕刻及化學(xué)鍍金處理，將電容屏金屬區(qū)域的走線及局部控制電路走線實(shí)施完成。

(3)將鍍金屬處理完成的IT0玻璃或膜基板進(jìn)行表面處理；所述表面處理過(guò)程通過(guò)水洗及無(wú)腐蝕性的化學(xué)制劑結(jié)合使用，去除所述ITO玻璃或膜基板上的金屬殘留物。

(4)烘烤成型，將鍍金屬完成的電容屏經(jīng)烘烤干燥后覆上保護(hù)膜，完成電鍍過(guò)程并封裝成型。在圖案上鍍金屬完成后的ITO玻璃或膜基板經(jīng)貼合后組成電容屏樣板，并在該樣板上覆蓋保護(hù)玻璃或保護(hù)膜組成完成的電容屏。