[發明專利]一種提高燒結釹鐵硼薄片磁體性能的方法

有效

• 申請號: 201310301718.X
• 申請日: 2013-07-17
• 公開（公告）號: CN103366943A
• 公開（公告）日: 2013-10-23
• 發明（設計）人: 李海晞;丁勇;呂向科;蔣小察;張民
• 申請（專利權）人: 寧波韻升股份有限公司;寧波韻升磁體元件技術有限公司;寧波韻升高科磁業有限公司;寧波韻升特種金屬材料有限公司;包頭韻升強磁材料有限公司
• 主分類號: H01F41/02
• 分類號: H01F41/02;H01F1/057
• 代理公司: 寧波奧圣專利代理事務所(普通合伙) 33226
• 代理人: 程曉明

1.一種提高燒結釹鐵硼薄片磁體性能的方法，其特征在于包括以下步驟：

①將燒結釹鐵硼磁體加工成燒結釹鐵硼薄片磁體，所述的燒結釹鐵硼薄片磁體的厚度小于14mm；

②對燒結釹鐵硼薄片磁體進行去污、去油、去磁粉和表面預處理；

③對燒結釹鐵硼薄片磁體的表面進行物理氣相沉積處理，其中沉積膜為重稀土合金膜，沉積膜厚度≤20μm；

④將經過物理氣相沉積處理的燒結釹鐵硼薄片磁體進行二級晶界熱處理。

2.根據權利要求1所述的一種提高燒結釹鐵硼薄片磁體性能的方法，其特征在于所述的步驟③中的重稀土合金膜為重稀土合金R_xTm_y膜，其中R為重稀土元素Dy、Tb和Ho中的一種或多種的組合，Tm為過渡族元素或Al、Ga中的一種或多種的組合，x和y表示重量百分比含量，0＜x≤100，0≤y＜100。

3.根據權利要求1所述的一種提高燒結釹鐵硼薄片磁體性能的方法，其特征在于所述的步驟④中的二級晶界熱處理工藝具體為：一級熱處理溫度為650℃～1100℃，一級熱處理時間為0.5小時～10小時；二級熱處理溫度為300℃～600℃，二級熱處理時間為1小時～5小時。

4.根據權利要求1所述的一種提高燒結釹鐵硼薄片磁體性能的方法，其特征在于所述的步驟①中的燒結釹鐵硼磁體是通過鑄片、氫碎、氣流磨、成型和燒結工藝制備而成。