[發明專利]低閾值電壓金屬氧化物半導體

有效

• 申請號: 201310301246.8
• 申請日: 2013-07-17
• 公開（公告）號: CN103579344A
• 公開（公告）日: 2014-02-12
• 發明（設計）人: 伊藤明
• 申請（專利權）人: 美國博通公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 田喜慶

1.一種半導體器件，包括：

源區，被布置于半導體襯底；

漏區，被布置于所述半導體襯底；

柵區，被布置到所述半導體襯底上，并且位于所述源區和所述漏區之間；

柵氧區，被布置在所述半導體襯底上并與所述柵區接觸；以及

阱區，被植入到所述半導體襯底上并位于所述柵區和所述柵氧區的下面，

其中，所述柵氧區具有與所述阱區接觸的下外沿部分。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述柵氧區包括具有第一厚度的第一部分和具有第二厚度的第二部分，所述第一厚度基本上大于所述第二厚度。

3.根據權利要求2所述的半導體器件，其中，所述阱區包括具有第一長度的第一阱，所述第一阱與所述第一部分接觸。

4.根據權利要求3所述的半導體器件，其中，所述阱區還包括第二阱，所述第二阱具有比所述第一長度更短的第二長度。

5.一種半導體器件，包括：

源區，被布置于半導體襯底；

漏區，被布置于所述半導體襯底；

柵區，被布置到所述半導體襯底上，并且位于所述源區與所述漏區之間；

柵氧區，被布置到所述半導體襯底上與所述柵區接觸；

第一阱，被植入到所述半導體襯底上并與所述柵氧區接觸，所述第一阱具有第一高度，以及

第二阱，被植入到位于淺槽隔離（STI）區下面的所述半導體襯底上，所述第二阱具有第二高度，

其中，所述第一高度比所述第二高度更大。

6.根據權利要求5所述的半導體器件，其中，所述第一阱和所述第二阱之間有襯底區，所述襯底區在所述柵氧區和包植入層以下延伸，所述包植入層與所述淺槽隔離區接觸。

7.根據權利要求6所述的半導體器件，還包括：第三阱，與所述第一阱接觸。

8.根據權利要求7所述的半導體器件，其中，所述第一阱具有第一長度，所述第二阱具有第二長度，并且其中，所述第一長度大于所述第二長度。

9.一種半導體器件，包括：

源區，被布置于半導體襯底；

漏區，被布置于所述半導體襯底；

柵區，被布置到所述半導體襯底上，并且位于所述源區與所述漏區之間；

柵氧區，被布置在所述半導體襯底上，與所述柵區接觸；

第一阱，被植入到所述半導體襯底上并與所述柵氧區接觸，所述第一阱具有第一長度；

第二阱，被植入到位于第一淺槽隔離（STI）區下面的所述半導體襯底上，所述第二阱具有第二長度；以及

第三阱，被植入到位于第二淺槽隔離區下面的所述半導體襯底上，所述第三阱具有第三長度，

其中，襯底區形成于所述第一阱和所述第二阱之間。

10.根據權利要求9所述的半導體器件，還包括位于所述第一阱、所述第二阱、和所述第三阱下面的深阱。