[發明專利]一種可變增益的模擬加法器在審
| 申請號: | 201310298979.0 | 申請日: | 2013-07-16 |
| 公開(公告)號: | CN104300961A | 公開(公告)日: | 2015-01-21 |
| 發明(設計)人: | 申向順;李波;李衛斌;王紅麗;姜恩春 | 申請(專利權)人: | 陜西北斗恒通信息科技有限公司 |
| 主分類號: | H03K19/094 | 分類號: | H03K19/094;G06F7/50 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 710075 陜西省西安市高新*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 可變 增益 模擬 加法器 | ||
1.一種可變增益的模擬加法器,其特征在于:包括第一偏置電流源、第一MOS晶體管、第二MOS晶體管、第三MOS晶體管、第四MOS晶體管、第五MOS晶體管、第六MOS晶體管、第七MOS晶體管、第八MOS晶體管、第九MOS晶體管、第一電阻、第二電阻、第三電阻、第四電阻、第五電阻和第六電阻;
所述第一偏置電流源一端連接至電壓源VDD,另一端分別接至第一MOS晶體管的漏極、第一MOS晶體管的柵極、第二MOS晶體管的柵極和第三MOS晶體管的柵極;
所述第一MOS晶體管的漏極分別連接至自身的柵極、第二MOS晶體管的柵極和第三MOS晶體管的柵極,第一MOS晶體管的源級連接至地;
所述第二MOS晶體管的漏極連接至第四MOS晶體管的源級和第五MOS晶體管的源級,第二MOS晶體管的柵極連接至第三MOS晶體管的柵極,第二MOS晶體管的源級接地,第二MOS晶體管的作用是尾電流源;
所述第三MOS晶體管的漏極連接至第六MOS晶體管的源級和第七MOS晶體管的源級,第三MOS晶體管的源級接地,第三MOS晶體管的作用是尾電流源;
所述第四MOS晶體管的漏極連接至輸出差分信號的反向輸出端Von,第四MOS晶體管的柵極連接至第一輸入差分信號的正向輸入端IP,第四MOS晶體管的源級還連接至第五MOS晶體管的源級;
所述第五MOS晶體管的漏極連接至輸出差分信號的正向輸出端Vop,第五MOS晶體管的柵極連接至第一輸入差分信號的反向輸入端IN;所述第四MOS晶體管和第五MOS晶體管構成第一輸入差分對管;
所述第六MOS晶體管的漏極連接至輸出差分信號的反向輸出端Von,第六MOS晶體管的柵極連接至第二輸入差分信號的正向輸入端QP,第六MOS晶體管的源級連接至第七MOS晶體管的源級;
所述第七MOS晶體管的漏極連接至輸出差分信號的正向輸出端Vop,第七MOS晶體管的柵極連接至第二輸入差分信號的反向輸入端QN;所述第六MOS晶體管和第七MOS晶體管構成第二輸入差分對管;
所述第八MOS晶體管的漏極連接至第五電阻相對于Von的另一端,第八MOS晶體管的柵極接控制電壓Vb2,第八MOS晶體管的源級連接至第六電阻相對于Vop的另一端;第八MOS晶體管在此起到開關的作用;
所述第九MOS晶體管的漏極連接至第三電阻相對于Von的另一端,第九MOS晶體管的柵極接控制電壓Vb1,第九MOS晶體管的源級連接至第四電阻相對于Vop的另一端;第九MOS晶體管在此起到開關的作用;
第一電阻的一端連接至電源VDD,另一端連接至輸出差分信號的反向輸出端Von;
第二電阻的一端連接至電源VDD,另一端連接至輸出差分信號的正向輸出端Vop;
第三電阻的一端連接至輸出差分信號的反向輸出端Von,另一端連接至第九MOS晶體管的漏極;
第四電阻的一端連接至輸出差分信號的正向輸出端Vop,另一端連接至第九MOS晶體管的源級;
第五電阻的一端連接至輸出差分信號的反向輸出端Von,另一端連接至第八MOS晶體管的漏極;
第六電阻的一端連接至輸出差分信號的正向輸出端Vop,另一端連接至第八MOS晶體管的源級。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于陜西北斗恒通信息科技有限公司,未經陜西北斗恒通信息科技有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310298979.0/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





