[發明專利]電流模帶隙基準電流源

有效

• 申請號: 201310295990.1
• 申請日: 2013-07-15
• 公開（公告）號: CN104238611A
• 公開（公告）日: 2014-12-24
• 發明（設計）人: 朱樟明;薛婷;陳雨;丁瑞雪;楊銀堂
• 申請（專利權）人: 西安電子科技大學
• 主分類號: G05F1/56
• 分類號: G05F1/56
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;黃燦

技術領域

本發明涉及一種基準電流源，尤其涉及一種電流模帶隙基準電流源。

背景技術

基準電流源是指在模擬集成電路中用來作為其他電路的電流基準的高精度、低溫度系數的電流源。如圖1所示，基準電流源包括由第一PMOS管M1和第二PMOS管M2構成的一對電流鏡、第一NMOS管M3、第二NMOS管M4、第三PMOS管M5和輸出電壓V的電壓源，VDD是是電源電壓高電平，GND是電源電壓低電平，I_REF是基準電壓源輸出的基準電壓，I_OUT是電流鏡的輸出電流。M1和M2的寬長比為(W/L)_p，M3的寬長比為(W/L)_n，M4的寬長比為K(W/L)_n。

基準電流源的一個基本要求就是輸出基準電流不隨電源電壓VDD的變化而變化。

在圖1中，因為M1與M2具有相同的尺寸，所以，

I_REF＝I_OUT；

在圖1中，因為電壓V的作用，M3的柵源電壓V_GS3和M4的柵源電壓V_GS4不相等；

V_GS3＝V_GS4+V；

即2IOUTμnCOX(W/L)n+VTH3=2IOUTμnCOX(W/L)n+VTH4+V;]]>

其中，μ_n為電子遷移率，C_OX為單位面積的柵氧化層電容。

如果忽略體效應的影響，可得：

V_TH3＝V_TH4；

其中，V_TH3為M3的閾值電壓，V_TH4為M4的閾值電壓；

因此IOUT=V2μnCOX(W/L)2(1-1K)2;]]>