[發(fā)明專利]用于制造碳化硅半導體器件的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310295979.5 | 申請日： | 2013-07-15 |
| 公開（公告）號： | CN103681259A | 公開（公告）日： | 2014-03-26 |
| 發(fā)明（設計）人： | 河田泰之;米澤喜幸 | 申請（專利權）人： | 富士電機株式會社 |
| 主分類號： | H01L21/205 | 分類號： | H01L21/205 |
| 代理公司： | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人： | 張鑫 |
| 地址： | 日本神*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 制造 碳化硅 半導體器件 方法 | ||
1.一種用于制造碳化硅半導體器件的方法，包括：
第一步驟，將碳化硅半導體襯底暴露于氣體氣氛，以便在所述碳化硅半導體襯底上生長碳化硅半導體膜，在所述氣體氣氛中包含氯的氣體被添加到包含硅的氣體和包含碳的氣體；以及
第二步驟，在所述碳化硅半導體膜的所述生長期間，在所述氣體氣氛中逐漸減少所述包含氯的氣體相對于所述包含硅的氣體的引入量。
2.如權利要求1所述的用于制造碳化硅半導體器件的方法，其特征在于
在所述第二步驟中，所述氣體氣氛中的所述包含氯的氣體中的氯原子的數(shù)目相對于所述包含硅的氣體中硅原子的數(shù)目以0.5％/分鐘至1.0％/分鐘的速率減小。
3.如權利要求1或2所述的用于制造碳化硅半導體器件的方法，其特征在于
所述第二步驟在所述第一步驟開始時執(zhí)行。
4.如權利要求3所述的用于制造碳化硅半導體器件的方法，其特征在于
在所述第一步驟開始時，所述氣體氣氛的混合物中的所述包含氯的氣體中的氯原子的數(shù)目是所述包含硅的氣體中硅原子的數(shù)目的三倍。
5.如權利要求1所述的用于制造碳化硅半導體器件的方法，其特征在于
所述包含氯的氣體是氯化氫氣或氯氣。
6.如權利要求1所述的用于制造碳化硅半導體器件的方法，其特征在于
在所述第一步驟中，由單晶制成的所述碳化硅半導體膜通過化學氣相沉積來生長。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
