[發明專利]等離子體處理裝置的清潔方法有效
| 申請號： | 201310294705.4 | 申請日： | 2013-07-12 |
| 公開（公告）號： | CN104282519A | 公開（公告）日： | 2015-01-14 |
| 發明（設計）人： | 王兆祥;蘇興才 | 申請（專利權）人： | 中微半導體設備（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01J37/32 | 分類號： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海智信專利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王潔 |
| 地址： | 201201 上海市浦東新*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 等離子體 處理 裝置 清潔 方法 | ||
1.一種用于等離子體處理裝置的清潔方法，其中，所述等離子體處理裝置包括一腔室，基片放置于腔室之中進行制程，其中，所述清潔方法包括如下步驟：
a.在基片制程之后，在腔室表面沉積不含氟的聚合物層；
b.往腔室中通入清潔氣體，并連接射頻能量產生等離子體，以對腔室內部進行清潔。
2.根據權利要求1所述的清潔方法，其特征在于，所述清潔氣體包括O2，O2與N2或Ar的混合氣體。
3.根據權利要求1所述的清潔方法，其特征在于，所述步驟a還包括如下步驟：在基片制程之后，往腔室中通入第一氣體，并連接射頻能量產生等離子體，以在所述腔室表面沉積不含氟的聚合物層。
4.根據權利要求3所述的清潔方法，其特征在于，在靜電夾盤表面沉積的不含氟的聚合物層厚度大于腔體側壁和上電極的不含氟的聚合物層厚度。
5.根據權利要求1所述的清潔方法，其特征在于，所述步驟b還包括如下步驟：往腔室中通入清潔氣體，并連接射頻能量產生等離子體，首先清除腔體側壁和上電極的不含氟的聚合物層，再清除靜電夾盤上表面的不含氟的聚合物層。
6.根據權利要求3所述的清潔方法，其特征在于，所述第一氣體為COS/N2，CO/H2，CO/NH3，CH4，C2H2，C2H4，C2H6，C3H6，C3H8,C4H10。
7.根據權利要求6所述的清潔方法，其特征在于，所述第一氣體與N2和/或NH3混合調節不含氟的聚合物層的濃度。
8.根據權利要求7所述的清潔方法，其特征在于，當所述第一氣體為C2H4時，腔室內壓力值為500mt，C2H4的流量為250sccm，射頻功率為750W和60Mhz，執行時間的取值范圍為8到15秒。
9.根據權利要求1所述的清潔方法，其特征在于，所述步驟b的執行時間為20～25秒。
10.根據權利要求9所述的清潔方法，其特征在于，所述不含氟的聚合物層的厚度由終點檢測的方法來控制。
11.根據權利要求1所述的清潔方法，其特征在于，所述步驟b之后還包括如下步驟c：將清潔冗余用真空泵抽出腔室。
12.根據權利要求11所述的清潔方法，其特征在于，在所述步驟c之后還包括如下步驟d:將基片傳輸入所述腔室，并對基片進行制程。
13.根據權利要求1所述的清潔方法，其特征在于，在所述步驟a之前還包括：對基片執行制程的步驟。
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