[發明專利]高維持電壓的靜電放電防護TVS器件

有效

• 申請號: 201310293366.8
• 申請日: 2013-07-12
• 公開（公告）號: CN103354230A
• 公開（公告）日: 2013-10-16
• 發明（設計）人: 董樹榮;曾杰;鐘雷;郭維
• 申請（專利權）人: 江蘇艾倫摩爾微電子科技有限公司
• 主分類號: H01L23/60
• 分類號: H01L23/60
• 代理公司: 南京縱橫知識產權代理有限公司 32224
• 代理人: 董建林

1.一種高維持電壓的靜電放電防護TVS器件，包括單元器件，其特征在于：所述單元器件包括P襯底；

所述P襯底上嵌設有一高壓N阱；所述高壓N阱上設置有一P阱；P阱上設有第三N+有源注入區和第二P+有源注入區；

所述高壓N阱未設P阱的區域中設有第一N+有源注入區和第一P+有源注入區，所述高壓N阱與P阱的交界處嵌設有第二N+有源注入區；

所述第一N+有源注入區、第一P+有源注入區、第二N+有源注入區、第三N+有源注入區和第二P+有源注入區依次相鄰；

所述第二N+有源注入區與第三N+有源注入區之間的P襯底上方設有一氧化層；在所述氧化層上方設有一多晶硅柵；

所述第一N+有源注入區通過金屬線引出作為單元器件的陽極，所述多晶硅柵通過金屬線與第三N+有源注入區和第二P+有源注入區相連并引出作為單元器件的陰極。

2.根據權利要求1所述的高維持電壓的靜電放電防護TVS器件，其特征在于：所述第一N+有源注入區與第一P+有源注入區相鄰的間距為0-0.5um。

3.根據權利要求1所述的高維持電壓的靜電放電防護TVS器件，其特征在于：所述第一P+有源注入區與第二N+有源注入區相鄰的間距為1-3um。

4.根據權利要求1所述的高維持電壓的靜電放電防護TVS器件，其特征在于：所述第二N+有源注入區與第三N+有源注入區相鄰的間距為0.6-1.0um。

5.根據權利要求1所述的高維持電壓的靜電放電防護TVS器件，其特征在于：所述第三N+有源注入區與第二P+有源注入區相鄰的間距為0-2um。

6.根據權利要求1所述的高維持電壓的靜電放電防護TVS器件，其特征在于：所述P襯底濃度范圍為1×10¹⁵-1×10¹⁶?atom/cm³。

7.根據權利要求1所述的高維持電壓的靜電放電防護TVS器件，其特征在于：所述P阱濃度范圍為1×10¹⁷-1×10¹⁸?atom/cm³。

8.根據權利要求1所述的高維持電壓的靜電放電防護TVS器件，其特征在于：所述第一N+有源注入區、第二N+有源注入區、第三N+有源注入區的濃度范圍均為1×10¹⁹-1×10²⁰?atom/cm³；和/或；所述第一P+有源注入區、第二P+有源注入區的濃度范圍均為1×10¹⁹-1×10²⁰?atom/cm³。

9.一種高維持電壓的靜電放電防護TVS器件，其特征在于：包括多個如權利要求1-8任一項所述的單元器件，多個單元器件依次串聯；每個單元器件有一個陽極端子和一個陰極端子，一個單元器件的陽極端子通過金屬連線連接到另一個單元器件的陰極端子。

10.根據權利要求9所述的一種高維持電壓的靜電放電防護TVS器件，其特征在于：所述單元器件個數為2-8個。