[發(fā)明專利]銪鋱共摻雜氯銻酸鹽發(fā)光薄膜、制備方法及其應(yīng)用

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310292617.0
• 申請日: 2013-07-12
• 公開（公告）號: CN104277841A
• 公開（公告）日: 2015-01-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周明杰;陳吉星;王平;馮小明
• 申請（專利權(quán)）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: C09K11/75
• 分類號: C09K11/75;C23C14/35;H05B33/14
• 代理公司: 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 何平

1.一種銪鋱共摻雜氯銻酸鹽發(fā)光薄膜，其特征在于，所述銪鋱共摻雜氯銻酸鹽發(fā)光薄膜的材料的化學(xué)通式為Me₅(SbO₄)₃Cl：xEu³⁺,yTb³⁺；

其中，Me₅(SbO₄)₃Cl是基質(zhì)，摻雜元素Eu和Tb是發(fā)光體系中的激活元素，在結(jié)構(gòu)組成中是進(jìn)入了Sb⁵⁺離子的晶格，且x為0.01～0.08，y為0.01～0.06，Me為Ca、Ba或Sr。

2.如權(quán)利要求1所述的銪鋱共摻雜氯銻酸鹽發(fā)光薄膜，其特征在于，所述銪鋱共摻雜氯銻酸鹽發(fā)光薄膜的厚度為60nm～400nm。

3.一種銪鋱共摻雜氯銻酸鹽發(fā)光薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

根據(jù)Me₅(SbO₄)₃Cl：xEu³⁺,yTi³⁺各元素的化學(xué)計(jì)量比稱取MeO，MeCl₂，Sb₂O₅，Eu₂O₃和Tb₄O₇粉體并混合均勻在900℃～1300℃下燒結(jié)制成靶材，其中，x為0.01～0.08，y為0.01～0.06，Me為Ca、Ba或Sr；

提供襯底并對所述襯底進(jìn)行預(yù)處理后，將所述靶材與所述襯底裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體，并調(diào)整所述真空腔體的真空度為1.0×10^-3Pa～1.0×10^-5Pa；及

調(diào)整工作氣體的流量為10sccm～35sccm，工作氣體的壓強(qiáng)為0.2Pa～4Pa，所述靶材與所述襯底的間距為45mm～95mm，所述襯底的溫度為250℃～750℃，所述磁控濺射鍍膜設(shè)備的功率為50W～300W，在所述襯底上磁控濺射得到銪鋱共摻雜氯銻酸鹽發(fā)光薄膜，所述銪鋱共摻雜氯銻酸鹽發(fā)光薄膜的材料的化學(xué)通式為Me₅(SbO₄)₃Cl：xEu³⁺,yTb³⁺。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的銪鋱共摻雜氯銻酸鹽發(fā)光薄膜的制備方法，其特征在于，燒結(jié)制成靶材的操作中，溫度為1250℃；

調(diào)整所述真空腔體的真空度的操作中，所述真空腔體的真空度為5.0×10^-4Pa。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的銪鋱共摻雜氯銻酸鹽發(fā)光薄膜的制備方法，其特征在于，磁控濺射的操作中，工作氣體的流量為25sccm，工作氣體的壓強(qiáng)為2Pa，所述靶材與所述襯底的間距為60mm，所述襯底的溫度為500℃，所述磁控濺射鍍膜設(shè)備的功率為150W。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的銪鋱共摻雜氯銻酸鹽發(fā)光薄膜的制備方法，其特征在于，還包括在得到銪鋱共摻雜氯銻酸鹽發(fā)光薄膜后，將所述銪鋱共摻雜氯銻酸鹽發(fā)光薄膜在0.001Pa～0.1Pa、500℃～800℃下退火的操作。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的銪鋱共摻雜氯銻酸鹽發(fā)光薄膜的制備方法，其特征在于，磁控濺射的操作中，通過控制磁控濺射的時(shí)間為10min～40min，得到厚度為60nm～400nm的銪鋱共摻雜氯銻酸鹽發(fā)光薄膜。

8.一種薄膜電致發(fā)光器件，包括依次層疊的基底、陽極層、發(fā)光層以及陰極層，其特征在于，所述發(fā)光層為銪鋱共摻雜氯銻酸鹽發(fā)光薄膜，所述銪鋱共摻雜氯銻酸鹽發(fā)光薄膜的材料的化學(xué)通式為Me₅(SbO₄)₃Cl：xEu³⁺,yTb³⁺；

其中，Me₅(SbO₄)₃Cl是基質(zhì)，摻雜元素Eu和Tb是發(fā)光體系中的激活元素，在結(jié)構(gòu)組成中是進(jìn)入了Sb⁵⁺離子的晶格，且x為0.01～0.08，y為0.01～0.06，Me為Ca、Ba或Sr。