[發明專利]用于垂直MOSFET的終端布置

有效

• 申請號: 201310287628.X
• 申請日: 2013-05-22
• 公開（公告）號: CN104183642B
• 公開（公告）日: 2018-09-21
• 發明（設計）人: A·伍德;M·聰德爾
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技奧地利有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 胡莉莉;劉春元

1.一種晶體管器件，包括：

包括至少一個垂直溝道晶體管單元的有源區以及電耦合到有源區的終端區；

半導體層，被部署在有源區和終端區處；

柵極絕緣體層，被部分地部署在垂直溝道晶體管單元的一部分上，并且被部分地部署在終端區處的半導體層的一部分上；以及

場絕緣體層，被部署在終端區處的半導體層的另一個部分上，并且在終端區處的半導體層的另一個部分上形成臺階結構，其中，所述場絕緣體層的臺階結構是以所述場絕緣體層從第一厚度至第二厚度的增厚過程形成的，所述第一厚度小于所述第二厚度。

2.如權利要求1所述的晶體管器件，進一步包括被部署在終端區處并穿透半導體層的深體區，該深體區電耦合到有源區。

3.如權利要求2所述的晶體管器件，進一步包括被部署在有源區處的溝槽中的柵極結構，并且其中深體區穿透半導體層到比溝槽的深度更大的深度。

4.如權利要求1所述的晶體管器件，進一步包括覆蓋柵極絕緣體層和場絕緣體層的至少一個的場平板結構。

5.如權利要求2所述的晶體管器件，進一步包括有源區中的一個或多個深體部分，該一個或多個深體部分被布置成在有源區中的預先選定的位置處穿透半導體層，該一個或多個深體部分布置成在操作期間指引電流流動在預先選擇的位置處穿過半導體層。

6.如權利要求5所述的晶體管器件，其中，一個或多個深體部分具有基本上等于或大于終端區的深體區的深度的深度。

7.如權利要求1所述的晶體管器件，其中，從位于相鄰于終端區的垂直溝道晶體管單元中排除源極層。

8.一種晶體管結構，包括：

晶體管單元陣列，每個晶體管單元都具有體層、溝槽和部署在溝槽中的柵極部分；

終端區，布置在晶體管單元陣列的外圍，終端區包括凹槽槽線；

場絕緣體部分，被部署在終端區處的凹槽槽線的第一部分上，并形成絕緣體臺階；

柵極絕緣體層，被部署在終端區處的凹槽槽線的與所述第一部分相鄰的第二部分上；以及

半導體場平板結構，被部署在絕緣體臺階上，其中，所述場絕緣體部分的絕緣體臺階是以所述場絕緣體部分從第一厚度至第二厚度的增厚過程形成的，所述第一厚度小于所述第二厚度。

9.如權利要求8所述的晶體管結構，進一步包括深體部分，所述深體部分被嵌入到終端區處的凹槽槽線中，并且電耦合到晶體管單元陣列的外圍處的晶體管單元中的至少一個。

10.如權利要求8所述的晶體管結構，進一步包括覆蓋終端區處的凹槽槽線的柵極滑槽結構。

11.如權利要求8所述的晶體管結構，進一步包括被部署在終端區的外圍處的溝道停止器結構。

12.如權利要求8所述的晶體管結構，其中，晶體管單元的至少一個中的一個或多個沒有源極區。

13.一種用于形成晶體管器件的方法，包括：

布置晶體管結構的半導體層，該半導體層具有有源區和相鄰的終端區，終端區包括凹槽區域；

在終端區的凹槽區域的第一部分處形成場絕緣體層，以形成絕緣體臺階結構，其中，所述場絕緣體層的絕緣體臺階結構是以所述場絕緣體層從第一厚度至第二厚度的增厚過程形成的，所述第一厚度小于所述第二厚度；以及

在終端區的凹槽區域的與所述第一部分相鄰的第二部分處形成柵極絕緣體層。

14.如權利要求13所述的方法，進一步包括在場絕緣體層和柵極絕緣體層中的至少一個下面的終端區的凹槽區域處注入深體區。

15.如權利要求13所述的方法，進一步包括用場平板結構來覆蓋絕緣體臺階結構。