[發明專利]雙極性晶體管在審
| 申請號： | 201310286503.5 | 申請日： | 2011-07-15 |
| 公開（公告）號： | CN103545357A | 公開（公告）日： | 2014-01-29 |
| 發明（設計）人： | 郭俊聰;劉世昌;蔡嘉雄 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/73 | 分類號： | H01L29/73;H01L29/732;H01L29/737;H01L29/08 |
| 代理公司： | 隆天國際知識產權代理有限公司 72003 | 代理人： | 郝新慧;張浴月 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 極性 晶體管 | ||
【權利要求書】：
1.一種雙極性晶體管，包括：
一半導體基板，具有一集電極區；
一材料層，包括一半導體層設置在該半導體基板上，以及在該半導體層上設置一介電層，其中該材料層具有以溝槽，而暴露出該集電極區的一部分；以及
一基極結構、一間隙物、及一發射極結構，設置在該材料層的該溝槽中，其中：
該基極結構具有側壁部分設置在該溝槽的側壁上，以及一底部設置在該集電極區該暴露部分上；
該間隙物設置在鄰近該基極結構的該側壁部分，各間隙物具有一頂寬及一底寬，該頂寬大體與該底寬相等，以及
該發射極結構設置在鄰近該間隙物以及在該基極結構的該底部上。
2.如權利要求1所述的雙極性晶體管，其中該頂寬與該底寬的比例小于或等于1：1.5。
3.如權利要求1所述的雙極性晶體管，其中該間隙物的一錐形角度大于或等于約85°。
4.如權利要求1所述的雙極性晶體管，其中該間隙物的一底部包括一凹口，該凹口自遠離該發射極結構的方向延伸。
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