[發(fā)明專利]多層陶瓷電子元件及其制造方法以及用于安裝的板

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310282685.9
• 申請日: 2013-07-05
• 公開（公告）號: CN104112588B
• 公開（公告）日: 2017-05-31
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李旼坤;小野雅章;金鐘翰;李承澔
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H01G4/005
• 分類號: H01G4/005;H01G4/30;H01G2/06
• 代理公司: 北京潤平知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11283
• 代理人: 施娥娟,董彬

相關(guān)申請的交叉引用

本申請要求在韓國知識產(chǎn)權(quán)局申請的申請?zhí)枮镹o.10-2013-0042860，申請日為2013年4月18日的韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)，在此引入其公開的全部內(nèi)容作為參考。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種多層陶瓷電子元件、制造該多層陶瓷電子元件的方法、以及用于安裝該多層陶瓷電子元件的板。

背景技術(shù)

根據(jù)最近使電子產(chǎn)品微型化的趨勢，在電子產(chǎn)品中使用的多層陶瓷電子元件已被要求減小尺寸，并具有在其中實現(xiàn)的高度電容。

因此，利用各種方法已經(jīng)努力嘗試使較大數(shù)量堆疊的電介質(zhì)層和內(nèi)電極變薄，最近，已經(jīng)制造出一種多層陶瓷電子元件，該多層陶瓷電子元件中，所述電介質(zhì)層的厚度減小，并且堆疊的電介質(zhì)層的數(shù)量增加。

由于電介質(zhì)層和內(nèi)電極變薄，相應(yīng)地，多層陶瓷電子元件能夠微型化，以允許堆疊層數(shù)數(shù)量增加，從而實現(xiàn)高度電容。

然而，在以上描述的堆疊層數(shù)數(shù)量增加，同時電介質(zhì)層和內(nèi)電極的厚度減小的情況下，多層陶瓷電子元件能夠達到高電容，但是，由于堆疊層數(shù)數(shù)量的增加，最終的多層陶瓷電子元件的厚度大于其寬度。

在以上描述的多層陶瓷電子元件的厚度大于其寬度的情況下，由于形成在多層陶瓷電子元件的兩端面上的外電極通常具有圓形周面（rounded circumferential surface），當(dāng)多層陶瓷電子元件安裝在印刷電路板等上時，多層陶瓷電子元件不能夠保持在安裝狀態(tài)，而是經(jīng)常傾倒，因此，多層陶瓷電子元件的安裝故障率增加。

此外，在根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)制造的高度堆疊的多層陶瓷電子元件的情況下，該多層陶瓷電子元件的陶瓷本體具有垂直的凸面形狀。在這種情況下，陶瓷本體具有凸面形狀，使得內(nèi)電極的中部，也就是內(nèi)電極的最高部的高度大于陶瓷本體的兩側(cè)的高度，因此，當(dāng)多層陶瓷電子元件安裝在印刷電路板等上時，多層陶瓷電子元件傾倒的問題將加劇。

以下相關(guān)的技術(shù)文件1公開了一種多層陶瓷電容器，該多層陶瓷電容器具有小尺寸和高電容，但并未描述解決多層陶瓷電容器安裝在印刷電路板上時傾倒的問題的方法。

[相關(guān)技術(shù)文件]

（專利文件1）公開出版號為No.JP2005-129802的日本專利

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的一個方面提供一種多層陶瓷電子元件，能夠解決厚度大于寬度的多層陶瓷電子元件安裝在印刷電路板上時傾倒的問題等等，并同時在其中能夠?qū)崿F(xiàn)高電容。

根據(jù)本發(fā)明的第一個方面，提供一種多層陶瓷電子元件，包括：陶瓷本體，該陶瓷本體包括沿厚度方向堆疊的多個電介質(zhì)層，并且當(dāng)所述陶瓷本體的寬度定義為W以及所述陶瓷本體的厚度定義為T時，滿足T/W>1.0；多個第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極，該多個第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極布置在所述陶瓷本體中以相互朝向，所述第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極之間插入有所述電介質(zhì)層，并交替地通過所述陶瓷本體的兩個端面暴露；以及第一外電極和第二外電極，該第一外電極和第二外電極分別形成在所述陶瓷本體的兩端面上，并且電連接至所述第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極，其中，當(dāng)所述陶瓷本體沿寬度方向分為五個區(qū)，并且在所述五個區(qū)中，中間區(qū)被定義為CW1，鄰近所述中間區(qū)CW1的區(qū)被定義為CW2和CW3時，所述中間區(qū)CW1的電極連通性與鄰近所述中間區(qū)CW1的所述區(qū)CW2或CW3的電極連通性的差別滿足0.02≤(CW2或CW3)-CW1≤0.10。

所述陶瓷本體可滿足1.2≤T/W≤3.0。

當(dāng)所述第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極沿寬度方向分為三個區(qū)，并且在所述三個區(qū)中，中間區(qū)定義為EW1，鄰近所述中間區(qū)EW1的區(qū)定義為EW2和EW3時，鄰近所述中間區(qū)EW1的所述區(qū)EW2或EW3的厚度與所述中間區(qū)EW1的厚度的比率(EW2或EW3)/EW1可以滿足1.10≤(EW2或EW3)/EW1≤2.00。

在所述陶瓷本體的所述五個區(qū)中，所述陶瓷本體的所述中間區(qū)CW1可以具有85%或者大于85%的電極連通性，鄰近所述中間區(qū)CW1的所述區(qū)CW2和CW3可以具有80%或者大于80%的電極連通性。

所述第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極的平均厚度可以為0.2μm-0.85μm。

當(dāng)所述陶瓷本體的厚度定義為Hc，并且從所述陶瓷本體的底部到最上方的內(nèi)電極的距離定義為He時，可以滿足He<Hc。