[發明專利]陣列基板及其制備方法、顯示裝置

有效

• 申請號: 201310282257.6
• 申請日: 2013-07-05
• 公開（公告）號: CN103309105A
• 公開（公告）日: 2013-09-18
• 發明（設計）人: 李婧;張文余;張家祥
• 申請（專利權）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368;H01L29/786;H01L29/10;H01L21/336
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

1.一種陣列基板，其特征在于，包括：襯底基板及位于所述襯底基板之上的多個薄膜晶體管單元，其中，

所述薄膜晶體管單元包括：位于所述襯底基板之上的第一柵極，位于所述第一柵極之上的柵極絕緣層，與第一柵極同層設置的漏極，位于所述漏極之上的有源層，位于有源層之上的源極，所述襯底基板與同層設置的第一柵極及漏極之間設置有第一透明導電層，所述第一柵極及其下方的第一透明導電層與漏極及其下方的第一透明導電層之間設置有柵絕緣層。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管單元上方設置有鈍化層，所述鈍化層上方設置有第二透明導電層，所述第一透明導電層至少有部分與第二透明導電層重疊。

3.根據權利要求1或2所述的陣列基板，其特征在于，還包括：位于所述襯底基板之上的多個陣列基板行驅動單元，其中，所述陣列基板行驅動單元包括：位于所述襯底基板之上的第三透明導電層，位于第三透明導電層之上的第二柵極，位于所述第二柵極之上的金屬引線；所述第一柵極和第二柵極及漏極同層設置，所述金屬引線與所述源極位于同一圖層，所述第三透明導電層與第一透明導電層同層設置。

4.根據權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述鈍化層對應于金屬引線的部分設置有開孔，所述第二透明導電層通過所述開孔與金屬引線連接。

5.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述源極與數據線同層設置，所述第一柵極與柵線同層設置。

6.根據權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述第二透明導電層為狹縫電極。

7.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求1-6任一項所述的陣列基板。

8.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，包括形成多個薄膜晶體管單元的步驟：

步驟S11、在襯底基板上形成包括第一透明導電層的圖形；

步驟S12、在步驟S11的圖形之上形成包括第一柵極和漏極的圖形，所述第一柵極和漏極同層形成；

步驟S13、在步驟S12形成的第一柵極之上形成包括柵絕緣層的圖形，在漏極之上形成包括有源層的圖形；

步驟S14、在步驟S13形成的有源層之上形成包括源極的圖形。

9.根據權利要求8所述的制備方法，其特征在于，還包括：

步驟S15、在步驟S14的圖形之上依次形成包括鈍化層的圖形和包括第二透明導電層的圖形。

10.根據權利要求8或9所述的制備方法，其特征在于，還包括形成多個陣列基板行驅動單元的步驟：

步驟S11中在襯底基板上同層形成第一透明導電層和第三透明導電層；

步驟S12中同層形成第一柵極、漏極及第二柵極；

步驟S14中同層形成源極和金屬引線。

11.根據權利要求10所述的制備方法，其特征在于，所述步驟S15中鈍化層對應于金屬引線的部分設置有開孔，所述第二透明導電層通過所述開孔與金屬引線連接。

12.根據權利要求8所述的制備方法，其特征在于，所述源極與數據線同層形成，所述第一柵極與柵線同層形成。

13.根據權利要求11所述的制備方法，其特征在于，所述源極與數據線同層形成，所述第一柵極與柵線同層形成。

14.根據權利要求9所述的制備方法，其特征在于，所述第二透明導電層為狹縫電極。

15.根據權利要求13所述的制備方法，其特征在于，所述包括多個薄膜晶體管單元、多個陣列基板行驅動單元的陣列基板采用五次掩膜工藝完成，具體為：

在襯底基板上依次形成第一透明導電薄膜、第一金屬薄膜、半導體薄膜，通過第一次掩膜工藝刻蝕形成位于陣列基板行驅動單元區域的第二柵極和第三透明導電層以及薄膜晶體管單元區域的第一柵極和柵線、第一透明導電層、漏極、有源層；

形成第一絕緣薄膜，通過第二次掩膜工藝刻蝕形成包括柵極絕緣層的圖形；

形成第二金屬薄膜，通過第三次掩膜工藝刻蝕形成數據線、源極和所述陣列基板行驅動單元的金屬引線；

形成第二絕緣薄膜，通過第四次掩膜工藝刻蝕形成包括鈍化層的圖形，所述鈍化層對應于金屬引線的部分設置有開孔；

形成第二透明導電薄膜，通過第五次掩膜工藝刻蝕形成包括第二透明導電層的圖形，所述第二透明導電層通過所述開孔與金屬引線連接。