[發明專利]有機發光裝置及其制造方法

無效

• 申請號: 201310280859.8
• 申請日: 2013-07-05
• 公開（公告）號: CN103811522A
• 公開（公告）日: 2014-05-21
• 發明（設計）人: 崔鎮百;鄭知泳;李濬九;李娟和;金元鐘;房賢圣
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L51/56
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 韓芳;金玉蘭

本申請要求2012年11月5日在韓國知識產權局提交的第10-2012-0124126號的韓國專利申請的優先權和權益，其公開通過引用全部包含于此。

技術領域

本公開涉及一種有機發光裝置及該有機發光裝置的制造方法，更具體地講，涉及一種導電覆蓋層層疊在陰極上的有機發光裝置和該有機發光裝置的制造方法。

背景技術

有機發光裝置（OLED）因根據自發射模式的高響應速度、低功耗和廣視角而用作圖像顯示介質。此外，由于有機發光裝置可以以相對低的溫度的簡單的工藝制造，所以有機發光裝置作為下一代平板顯示裝置而備受關注。

通常，有機發光裝置可以具有這樣的構造，其中，陽極和陰極順序放置在平的絕緣層上，其中，平的絕緣層覆蓋設置在基底上的薄膜晶體管，有機層設置在陽極和陰極之間。

在有機發光裝置的操作期間，從陽極提供的空穴和從陰極提供的電子在陰極和陽極之間形成的有機層中彼此復合，以形成具有高能量的激子，在當激子下降到較低能量時產生光。

根據有機層中產生的光發射到裝置外所沿的方向，有機發光裝置可以是后發射型或者前發射型有機發光裝置。

后發射型有機發光裝置是利用透明的陽極和反射式的陰極沿陽極方向發射光的模式。在后發射型有機發光顯示裝置中，可能存在由于被設置在基底上的薄膜晶體管電路占據的區域而導致光發射區域減小的問題。

作為解決此問題的方法，已經提出了通過利用反射式的陽極和透反式的陰極使光沿陰極方向發射的前發射型有機發光裝置。

前發射型有機發光裝置可以包括作為陰極的金屬層。然而，可被用作陰極的金屬層可能需要被形成為預定的厚度，以使陰極成為透反式的，結果，存在的問題在于陰極的片電阻大大增加，因此功耗增大。

發明內容

一些實施例提供了一種能夠通過將導電覆蓋層層疊在陰極上而在保持光學特性的同時減小片電阻的有機發光裝置及其制造方法。

本公開的示例性實施例提供一種有機發光裝置，所述有機發光裝置包括基底、基底上的第一電極、第一電極上的發射層、發射層上的第二電極和第二電極上的導電覆蓋層。

在一些實施例中，導電覆蓋層可由單層或多層形成。

在一些實施例中，第二電極可通過利用由Mg:Ag、LiF:Al、Li:Al、Li、Ca、Ag和Al中的至少一種形成為透明電極。

在一些實施例中，導電覆蓋層可包含銦氧化物。

在一些實施例中，銦氧化物可具有由式InO_x代表的成分，并且x值可為1.3或更大至小于1.5。

在一些實施例中，導電覆蓋層的厚度可為到。

在一些實施例中，導電覆蓋層的折射率可為1.7到2.3。

一些實施例提供一種有機發光裝置的制造方法，所述方法包括：在基底上形成第一電極；在第一電極上形成發射層；在發射層上形成第二電極以及在第二電極上形成導電覆蓋層。

在一些實施例中，形成第二電極的步驟可包括利用Mg:Ag、LiF:Al、Li:Al、Li、Ca、Ag、和Al中至少一種作為材料來形成透明電極。

在一些實施例中，形成導電覆蓋層的步驟可利用銦氧化物為材料，且銦氧化物的x值可為1.3或更大至小于1.5。

在一些實施例中，形成導電覆蓋層的步驟可以包括將導電覆蓋層的厚度控制為至

在一些實施例中，形成導電覆蓋層的步驟可利用離子束沉積工藝、旋涂工藝、印刷工藝、濺射工藝、化學氣相沉積（CVD）工藝、原子層沉積（ALD）工藝、等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）工藝、高密度等離子體化學氣相沉積（HDP-CVD）工藝和真空沉積工藝中的任意一種方法。

在一些實施例中，形成導電覆蓋層的步驟可以利用離子束相關沉積工藝。

在一些實施例中，在離子束相關沉積（IBAD）工藝過程中注入的離子可以是氬（Ar）和氧（O₂）。

在一些實施例中，在離子束相關沉積（IBAD）工藝過程中注入氬（Ar）的注入速度可以是5到30cm²/分鐘。

在一些實施例中，在離子束相關沉積（IBAD）工藝過程中注入氧(O₂)的注入速度可以是3到40cm²/分鐘。

根據本公開的一些實施例，陰極的導電性因在由透明金屬制成的陰極上形成導電覆蓋層以減少片電阻而變得優良，結果，可改進有機發光裝置的功耗。