[發明專利]有機發光裝置及其制造方法

無效

• 申請號: 201310280859.8
• 申請日: 2013-07-05
• 公開（公告）號: CN103811522A
• 公開（公告）日: 2014-05-21
• 發明（設計）人: 崔鎮百;鄭知泳;李濬九;李娟和;金元鐘;房賢圣
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L51/56
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 韓芳;金玉蘭

1.一種有機發光裝置，包括：

基底；

第一電極，在基底上；

發射層，在第一電極上；

第二電極，在發射層上；以及

導電覆蓋層，在第二電極上。

2.如權利要求1所述的有機發光裝置，其中，導電覆蓋層由單層或多層形成。

3.如權利要求1所述的有機發光裝置，其中，第二電極包括Mg:Ag、LiF:Al、Li:Al、Li、Ca、Ag和Al中的至少一種。

4.如權利要求1所述的有機發光裝置，其中，導電覆蓋層包含銦氧化物。

5.如權利要求4所述的有機發光裝置，其中，銦氧化物具有InO_x的成分，并且x值為1.3或大于1.3至小于1.5。

6.如權利要求1所述的有機發光裝置，其中，導電覆蓋層的厚度為到

7.如權利要求1的有機發光裝置，其中，導電覆蓋層的折射率為1.7到2.3。

8.一種有機發光裝置的制造方法，包括：

在基底上形成第一電極；

在第一電極上形成發射層；

在發射層上形成第二電極；以及

在第二電極上形成導電覆蓋層。

9.如權利要求8所述的有機發光裝置的制造方法，其中，Mg:Ag、LiF:Al、Li:Al、Li、Ca、Ag和Al中的至少一種是形成第二電極的材料。

10.如權利要求8所述的有機發光裝置的制造方法，其中，銦氧化物是形成導電覆蓋層的材料。

11.如權利要求10所述的有機發光裝置的制造方法，其中，銦氧化物具有InO_x的成分，并且x值為1.3或大于1.3至小于1.5。

12.如權利要求8所述的有機發光裝置的制造方法，其中，形成導電覆蓋層的步驟包括將導電覆蓋層的厚度控制為至。

13.如權利要求8所述的有機發光裝置的制造方法，其中，形成導電覆蓋層的步驟利用離子束沉積工藝、旋涂工藝、印刷工藝、濺射工藝、化學氣相沉積工藝、原子層沉積工藝、等離子體增強化學氣相沉積工藝、高密度等離子體化學氣相沉積工藝和真空沉積工藝中的任意一種方法。

14.如權利要求8所述的有機發光裝置的制造方法，其中，形成導電覆蓋層的步驟利用離子束相關沉積工藝。

15.如權利要求14所述的有機發光裝置的制造方法，其中，在離子束相關沉積IBAD工藝期間注入的離子是氬Ar和氧O₂。

16.如權利要求15所述的有機發光裝置的制造方法，其中，在離子束相關沉積IBAD工藝期間注入的氬Ar的注入速度是5到30cm²/分鐘。

17.如權利要求15所述的有機發光裝置的制造方法，其中，在離子束相關沉積IBAD工藝期間注入的氧O₂的注入速度是3到40cm²/分鐘。