[發(fā)明專利]固態(tài)成像裝置、制造固態(tài)成像裝置的方法以及電子設備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310280645.0 | 申請日: | 2013-07-05 |
| 公開(公告)號: | CN103545329B | 公開(公告)日: | 2019-01-25 |
| 發(fā)明(設計)人: | 池田晴美;舘下八州志 | 申請(專利權)人: | 索尼公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 焦玉恒 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 固態(tài) 成像 裝置 制造 方法 以及 電子設備 | ||
本發(fā)明提供一種固態(tài)成像裝置、制造固態(tài)成像裝置的方法以及電子設備。該固態(tài)成像裝置包括半導體基板、每一個均包括形成在半導體基板中的光電轉換部的像素、形成在半導體基板中且分隔相鄰像素的溝槽以及形成在每個像素的光電轉換部之上且埋設在溝槽的至少一部分中的彩色濾光片。
技術領域
本發(fā)明涉及固態(tài)成像裝置和制造該固態(tài)成像裝置的方法。此外,本發(fā)明涉及包括固態(tài)成像裝置的電子設備。
背景技術
在固態(tài)成像裝置中,存在像素的光或電荷透入相鄰像素中的情況,導致所謂的混色。為了抑制混色,已經(jīng)提出了溝槽形成在像素之間以將像素彼此物理分隔且諸如金屬的遮光材料埋設在溝槽中的構造(例如,見JP2011-3860A)。
發(fā)明內(nèi)容
當遮光材料埋設在像素之間形成的溝槽中時,由遮光材料抑制與相鄰像素的混色,但是由于反射或吸收會引起靈敏度下降。特別是,入射倒埋設有遮光材料的溝槽的頂表面上的光由遮光材料反射或吸收,而不入射到像素上,因此靈敏度相應地下降。
所希望的是提供一種固態(tài)成像裝置以及制造該固態(tài)成像裝置的方法,以便能改善靈敏度而抑制混色。此外,希望提供包括該固態(tài)成像裝置的電子設備。
根據(jù)本發(fā)明的實施例,所提供的固態(tài)成像裝置包括半導體基板、每一個包括形成在半導體基板中的光電轉換部的像素、形成在半導體基板中且分隔相鄰像素的溝槽以及形成在每個像素的光電轉換部之上且埋設在溝槽的至少一部分中的彩色濾光片。
根據(jù)本發(fā)明的實施例,所提供的制造固態(tài)成像裝置的方法包括:在半導體基板中形成包括在像素中的光電轉換部,在半導體基板中形成分隔相鄰像素的溝槽,以及在每個像素的光電轉換部之上形成彩色濾光片且在溝槽的至少一部分中埋設彩色濾光片。
根據(jù)本發(fā)明實施例的電子設備包括光學系統(tǒng)、固態(tài)成像裝置和處理固態(tài)成像裝置的輸出信號的信號處理電路,并且構造為其中該固態(tài)成像裝置是根據(jù)本發(fā)明實施例的固態(tài)成像裝置。
根據(jù)本發(fā)明實施例的固態(tài)成像裝置的構造,彩色濾光片形成為埋設在用以彼此分隔相鄰像素的溝槽的至少一部分中。結果,通過溝槽中埋設的彩色濾光片,可防止光滲透到相鄰像素中,并且可抑制混色的發(fā)生。此外,因為溝槽中不使用諸如金屬的遮光材料,所以可抑制由反射或吸收引起的靈敏度下降。
根據(jù)本發(fā)明的制造固態(tài)成像裝置的方法,因為彩色濾光片形成為埋設在溝槽的至少一部分中,所以可防止光滲透到相鄰像素中,并且可抑制混色的發(fā)生。此外,因為彩色濾光片形成在像素的光電轉換部之上且彩色濾光片形成為埋設在溝槽的至少一部分中,所以彩色濾光片可同時形成在像素的光電轉換部之上和溝槽之中。
根據(jù)本發(fā)明實施例的電子設備的構造,因為該電子設備包括根據(jù)本發(fā)明實施例的固態(tài)成像裝置,所以固態(tài)成像裝置中可抑制混色的發(fā)生,并且可抑制靈敏度的下降。
根據(jù)上述的本發(fā)明的實施例,因為可抑制混色的發(fā)生且可抑制靈敏度的下降,所以可改善靈敏度而抑制混色。
此外,根據(jù)本發(fā)明實施例的制造固態(tài)成像裝置的方法,因為彩色濾光片可同時形成在像素的光電轉換部之上和溝槽之中,所以,與其中遮光材料等與彩色濾光片分開地埋設在溝槽中的情況相比,可減少工藝的數(shù)量。
附圖說明
圖1是示出根據(jù)第一實施例的固態(tài)成像裝置的示意性構造圖(平面圖);
圖2是示出根據(jù)第一實施例的固態(tài)成像裝置的主要部分的截面圖;
圖3A至3C是用于描述根據(jù)第一實施例的固態(tài)成像裝置中像素的顏色陣列和彩色濾光片陣列的示意圖;
圖4是示出所預期的光譜結果圖像的示意圖;
圖5是示出制造根據(jù)第一實施例的固態(tài)成像裝置的方法的工藝圖;
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- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





