[發(fā)明專利]小型超高頻RFID抗金屬標(biāo)簽天線及阻抗分離匹配方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310277400.2 | 申請(qǐng)日: | 2013-07-03 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103346395A | 公開(公告)日: | 2013-10-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張俊;龍?jiān)屏?/a> | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中山大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H01Q1/38 | 分類號(hào): | H01Q1/38;H01Q1/22 |
| 代理公司: | 深圳市合道英聯(lián)專利事務(wù)所(普通合伙) 44309 | 代理人: | 廉紅果 |
| 地址: | 510275 *** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 小型 超高頻 rfid 金屬 標(biāo)簽 天線 阻抗 分離 匹配 方法 | ||
1.小型超高頻RFID抗金屬標(biāo)簽天線,它包括基板(1)和涂覆在所述基板(1)表面的輻射體(2),其特征在于,所述基板(1)包括疊合相連在一起的上基板(11)和下基板(12),所述輻射體(2)包括頂層輻射體(21)、中間層輻射體(22)和底層輻射體(23),所述頂層輻射體(21)位于上基板(11)的上表面,所述中間層輻射體(22)位于上基板(11)的下表面或者下基板(12)的上表面,所述底層輻射體(23)位于下基板(12)的下表面,頂層輻射體(21)和中間層輻射體(22)分別通過連接部(24)與底層輻射體(23)連通。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的小型超高頻RFID抗金屬標(biāo)簽天線,其特征在于,所述上基板(11)上形成有至少一個(gè)縱向設(shè)置的上通孔(31),所述下基板(12)上形成有至少兩個(gè)縱向設(shè)置的下通孔(32),每一所述上通孔(31)和下通孔(32)的內(nèi)壁分別涂覆有所述連接部(24),所述頂層輻射體(21)與底層輻射體(23)之間通過上通孔(31)和與之對(duì)應(yīng)的下通孔(32)的內(nèi)壁的連接部(24)連通,所述中間層輻射體(22)與底層輻射體(23)之間通過下通孔(32)內(nèi)壁的連接部(24)連通。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的小型超高頻RFID抗金屬標(biāo)簽天線,其特征在于,所述頂層輻射體(21)包括兩個(gè)相互獨(dú)立的頂層輻射區(qū)域,標(biāo)簽芯片(4)連接在兩個(gè)頂層輻射區(qū)域之間,每個(gè)頂層輻射區(qū)域上形成至少一個(gè)頂層窄槽(211)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的小型超高頻RFID抗金屬標(biāo)簽天線,其特征在于,所述上基板(11)對(duì)應(yīng)于每個(gè)頂層輻射區(qū)域的位置分別設(shè)置有一個(gè)上通孔(31),每個(gè)上通孔(31)分別位于頂層輻射區(qū)域的外端端部。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的小型超高頻RFID抗金屬標(biāo)簽天線,其特征在于,兩頂層輻射區(qū)域形狀相同,頂層輻射區(qū)域的外部輪廓為圓形、橢圓形、三角形、矩形或者不規(guī)則多邊形。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的小型超高頻RFID抗金屬標(biāo)簽天線,其特征在于,所述中間層輻射體(22)上形成有至少一個(gè)中間層窄槽(221)。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的小型超高頻RFID抗金屬標(biāo)簽天線,其特征在于,所述下基板(12)對(duì)應(yīng)于每個(gè)上通孔(31)的位置分別設(shè)置有一個(gè)所述下通孔(32),下基板(12)對(duì)應(yīng)于中間層輻射體(22)的中部還設(shè)置有另一個(gè)所述下通孔(32)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的小型超高頻RFID抗金屬標(biāo)簽天線,其特征在于,所述中間層輻射體(22)的外部輪廓為圓形、橢圓形、三角形、矩形或者不規(guī)則多邊形。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的小型超高頻RFID抗金屬標(biāo)簽天線,其特征在于,所述上基板(11)和下基板(12)的形狀相同,上基板(11)與和下基板(12)之間采用無縫無錯(cuò)位相連。
10.一種抗金屬標(biāo)簽陣列天線的阻抗分離匹配方法,其特征在于,它包括如下步驟:
Step1:根據(jù)標(biāo)簽的最小閱讀距離要求并結(jié)合電小天線理論或標(biāo)簽的尺寸限制確定天線的基本尺寸;
Step2:根據(jù)選用的標(biāo)簽芯片阻抗和標(biāo)簽的中心工作頻點(diǎn)確定天線的目標(biāo)輸入阻抗;
Step3:調(diào)節(jié)頂層輻射體的頂層窄槽的長(zhǎng)度,得到標(biāo)簽天線目標(biāo)阻抗的虛部;
Step4:調(diào)節(jié)中間層輻射體的中間層窄槽的長(zhǎng)度,移動(dòng)標(biāo)簽天線阻抗實(shí)部到中心頻點(diǎn);
Step5:仿真得到天線的實(shí)際增益,根據(jù)該增益計(jì)算標(biāo)簽的閱讀距離,如果理論閱讀距離高于所要求的最小閱讀距離,則停止;如果理論距離小于要求則按一定比例增大天線尺寸,并從Step3開始重復(fù)上述步驟。
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