[發明專利]一種EMC封裝LED引線框架去溢料工藝

有效

• 申請號: 201310271452.9
• 申請日: 2013-07-01
• 公開（公告）號: CN103354270A
• 公開（公告）日: 2013-10-16
• 發明（設計）人: 曹光偉;李泓;張繼桉
• 申請（專利權）人: 寧波康強電子股份有限公司
• 主分類號: H01L33/62
• 分類號: H01L33/62;H01L33/48
• 代理公司: 南京眾聯專利代理有限公司 32206
• 代理人: 顧進

技術領域

本發明涉及去溢料工藝，具體來說涉及一種使用環氧樹脂半封裝用于裝載發光芯片并加以半透明塑封的EMC封裝的LED引線框架去溢料工藝，屬于封裝技術領域。

背景技術

EMC封裝的LED引線框架是制作生產半導體發光元件的基礎材料，一般它是由銅合金、電鍍層、環氧樹脂組成。銅合金經蝕刻工藝生產出金屬料帶，再通過電鍍把電鍍層和銅合金結合在一起，半封裝工藝通過模具把環氧樹脂和電鍍過的料帶結合再一起。再經過清洗去溢料處理后包裝存儲。經過環氧樹脂封裝后的EMC引線框架會因加工方式、模具間隙等原因產生一些溢料現象。其中在功能區內的溢料會引起固晶、打線不良，影響產品質量；散熱區內的溢料會覆蓋住金屬材料，影響產品散熱。通過一種去溢料工藝把功能區、散熱區內的異物去除，達到去除溢料的目的。

ECM封裝過程是由壓機提供動力，將環氧樹脂料餅通過模具成型將環氧樹脂和料帶結合為一體，因此不可避免的會產生溢料現象，尤其是在杯底功能的溢料會擋住鍍層不但嚴重影響產品在后續固晶、打線的可靠性，而且會降低底部的反光性影響光效。去溢料工藝主是去除在封裝模具生產過程中溢出在產品功能區和散熱區中的殘余環氧樹脂。

目前行業中主要用的去溢料方法是機械噴沙干法/濕法，機械噴沙干法/濕法，也叫介質去飛毛刺，使用專用的高壓噴沙機，將研磨料如粒狀的料球噴在集成電路引線框架表面上，打磨去掉溢料，此方法適用于單面封裝大散熱片的產品。優點是成本較低，缺點是容易打傷塑封體表面和引腳，IC封裝去溢料工藝時會損傷環氧樹脂和電鍍表面。因此，迫切的需要一種EMC封裝LED引線框架去溢料工藝來解決上述技術問題。

發明內容

本發明正是針對現有技術中存在的技術問題，提供一種操作方便、成本較低的EMC封裝LED引線框架去溢料工藝，該工藝不僅保證產品質量而且不會是產品發生變色現象。

為了實現上述目的，本發明的技術方案如下，一種EMC封裝LED引線框架去溢料工藝，其特征在于，所述工藝包括以下步驟，1）電解、2）風刀、3）水洗、4）高壓水刀、5）刷洗、6）中和、7）保護、8）烘干。其中電解是在堿性藥水中通過電解的方法去除溢料，引線框架與陰極相連，在藥水中引腳產生大量氣泡溢出時將溢料松動產生空隙，堿液滲入將產品表面的溢料泡軟，利用高壓水打掉溢料。

作為本發明的進一步改進，所述高壓水刀還包括以下步驟，4.1水洗，4.2風刀。

作為本發明的進一步改進，所述步驟5還包括以下步驟，5.1水洗。

作為本發明的進一步改進，所述步驟6還包括以下步驟6.1）風刀，6.2）中和，6.3）風刀。

作為本發明的進一步改進，所述步驟7還包括以下步驟7.1）風刀，7.2）水洗，7.3）高溫水洗，7.4）風刀。

作為本發明的進一步改進，所述步驟6中和的過程為，通過酸性藥水與堿性藥水發生中和反應，去除引線框架引線框架表面殘留的堿性成份。

作為本發明的進一步改進，所述步驟7保護具體為，在銀層保護液中，室溫下浸泡5—15秒。

作為本發明的進一步改進，所述步驟7.3高溫水洗的溫度為55—60°。

作為本發明的進一步改進，所述步驟8烘干采用的烘干設備為烘道，溫度為120-150°，烘干時間為60-120秒。

相對于現有技術，本發明的有益效果如下：1）、整個方法簡單，造價成本低、易于操作；2）、該方法更適用于LED框架的特性，使其具有以下優點：1.原IC封裝去溢料工藝有噴沙流程，會對框架表面造成沖擊，在表面形成細小的凹坑，這對LED產品對表面的高要求嚴重不符，而本發明針對此問題進行改進，使用水洗和刷洗相結合，在不損傷產品的情況下達到去除溢料的目的。2.?原IC封裝去溢料工藝中電解后只靠水洗去除了電解后殘留的化學藥水，而在清洗時電解過程中已經對電鍍層發生了化學反應，在存放一定時間后銀層會有不同程度的變色現象，而本發明通過增加中和、保護工藝，使電解后殘留的化學藥水進行中和反應使其化學性質變的穩定，水洗后能保證產品保持中性，不會引起銀層變色等現象，更能保證產品的質量。

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附圖說明

圖1為EMC封裝LED引線框架結構圖；

圖中：1、金屬框架，2、環氧樹脂，3、鍍銀層，4、溢料。

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具體實施方式

為了加深對本發明的理解和認識，下面結合附圖和具體實施方式對本發明做出進一步的說明和介紹。

實施例1：