[發明專利]基片刻蝕方法在審
| 申請號： | 201310271160.5 | 申請日： | 2013-06-27 |
| 公開（公告）號： | CN104253017A | 公開（公告）日： | 2014-12-31 |
| 發明（設計）人： | 李成強 | 申請（專利權）人： | 北京北方華創微電子裝備有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;張天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 刻蝕 方法 | ||
1.一種基片刻蝕方法，其特征在于，所述基片為藍寶石基片，包括以下步驟：
主刻蝕步驟，向反應腔室通入刻蝕氣體和輔助氣體，并開啟激勵電源和偏壓電源，以對基片刻蝕預定刻蝕深度，其中，所述輔助氣體包括氟化物氣體，所述輔助氣體用于減小高能離子的濃度；
過刻蝕步驟，向反應腔室內通入所述刻蝕氣體，并開啟激勵電源和偏壓電源，以調節基片的溝槽形貌。
2.如權利要求1所述的基片刻蝕方法，其特征在于，所述氟化物氣體包括三氟氫化碳、氟氫化碳、三氟化氮和氟硫化合物中的一種或多種。
3.如權利要求1所述的基片刻蝕方法，其特征在于，在所述主刻蝕步驟和過刻蝕步驟中，所述刻蝕氣體包括氯化硼。
4.如權利要求1所述的基片刻蝕方法，其特征在于，在所述主刻蝕步驟中，所述刻蝕氣體的流量范圍在80～100sccm。
5.如權利要求1所述的基片刻蝕方法，其特征在于，在所述主刻蝕步驟中，所述輔助氣體的流量范圍在5～20sccm。
6.如權利要求1所述的基片刻蝕方法，其特征在于，在所述主刻蝕步驟中，所述激勵電源輸出激勵功率的范圍在1400～2000W。
7.如權利要求 1所述的基片刻蝕方法，其特征在于，在所述主刻蝕步驟中，所述反應腔室的腔室壓力的范圍在1.5～2.5mT。
8.如權利要求1所述的基片刻蝕方法，其特征在于，在所述主刻蝕步驟中，所述偏壓電源輸出偏壓功率的范圍在100～400W。
9.如權利要求1所述的基片刻蝕方法，其特征在于，在所述過刻蝕步驟中，所述刻蝕氣體的流量范圍在40～70sccm。
10.如權利要求1所述的基片刻蝕方法，其特征在于，在所述過刻蝕步驟中，所述反應腔室的腔室壓力的范圍在1.5～2mT。
11.如權利要求1所述的基片刻蝕方法，其特征在于，在所述過刻蝕步驟中，所述激勵電源輸出激勵功率的范圍在1400～2000W。
12.如權利要求1所述的基片刻蝕方法，其特征在于，在所述過刻蝕步驟中，所述偏壓電源輸出偏壓功率的范圍在500～700W。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
