[發(fā)明專利]薄膜體聲波諧振器結(jié)構(gòu)及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310270304.5 | 申請日: | 2013-06-28 |
| 公開(公告)號: | CN103296992A | 公開(公告)日: | 2013-09-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 杜波;馬晉毅;米佳;江洪敏 | 申請(專利權(quán))人: | 中國電子科技集團公司第二十六研究所 |
| 主分類號: | H03H9/17 | 分類號: | H03H9/17;H03H3/02 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 400060 *** | 國省代碼: | 重慶;85 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 薄膜 聲波 諧振器 結(jié)構(gòu) 及其 制造 方法 | ||
1.一種薄膜體聲波諧振器結(jié)構(gòu)的制造方法,其包括步驟:?
于載片上形成薄膜體聲波諧振器;?
于襯底上形成空腔;?
將薄膜體聲波諧振器搭載在該空腔;?
形成該薄膜體聲波諧振器的電極的電連接層。?
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜體聲波諧振器結(jié)構(gòu)的制造方法,其特征在于,還包括步驟:?
調(diào)整薄膜體聲波諧振器的工作頻率。?
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜體聲波諧振器結(jié)構(gòu)的制造方法,其特征在于,所述將薄膜體聲波諧振器搭載在該空腔的步驟包括:?
將該載片與該襯底鍵合,該薄膜體聲波諧振器的頂電極、底電極、壓電層收容于該空腔內(nèi);?
將該載片和第一質(zhì)量加載層分離。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的薄膜體聲波諧振器結(jié)構(gòu)的制造方法,其特征在于,于載片上形成薄膜體聲波諧振器的步驟包括:?
在載片上依次形成離子注入層和第一質(zhì)量加載層;?
于該質(zhì)量加載層上形成底電極;?
于該底電極上形成壓電層,該壓電層覆蓋該底電極并延伸至該第一質(zhì)量加載層;?
形成頂電極,該頂電極局部覆蓋該壓電層,并與該底電極具有重疊區(qū)域,該頂電極延伸至該第一質(zhì)量加載層。?
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的薄膜體聲波諧振器結(jié)構(gòu)的制造方法,其特征在于,于襯底上形成空腔的步驟包括:?
在該襯底上涂覆玻璃膠,形成支撐層薄膜和空腔;?
該載片與該襯底鍵合的步驟還包括:將該支撐層薄膜和該第一質(zhì)量加載層鍵合。?
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜體聲波諧振器結(jié)構(gòu)的制造方法,其特征在?于,形成該薄膜體聲波諧振器的電極的電連接層的步驟包括:?
蝕刻該第一質(zhì)量加載層形成電極引出窗口;?
形成焊盤層,該焊盤層通過該電極引出窗口分別于底電極和頂電極電連接。?
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜體聲波諧振器結(jié)構(gòu)的制造方法,其特征在于,將該載片和第一質(zhì)量加載層分離的步驟包括:?
在500℃下退火,使得離子注入層生成氣體,將離子注入層和載片從襯底上剝離。?
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜體聲波諧振器結(jié)構(gòu)的制造方法,其特征在于,該調(diào)整薄膜體聲波諧振器的工作頻率還包括步驟:?
獲得薄膜體聲波諧振器的諧振頻率;?
根據(jù)諧振頻率對裸露的第一質(zhì)量加載層進行刻蝕。?
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜體聲波諧振器結(jié)構(gòu)的制造方法,其特征在于,?
獲得薄膜體聲波諧振器所在晶圓上的所有薄膜體聲波諧振器的諧振頻率分布圖;?
根據(jù)諧振頻率分布圖對裸露的第一質(zhì)量加載層進行刻蝕。?
10.根據(jù)權(quán)利要求1至9任意一項所述的薄膜體聲波諧振器結(jié)構(gòu)的制造方法所獲得的薄膜體聲波諧振器結(jié)構(gòu)包括:一個具有空腔的襯底,一個薄膜體聲波諧振器以及一個電連接層;該薄膜體聲波諧振器包括一個底電極、一個頂電極和一個位于位于該頂電極和該底電極之間的壓電層;該薄膜體聲波諧振器搭載在該空腔,該底電極、該頂電極和該壓電層收容于該空腔;該電連接層與該底電極和該頂電極電連接。?
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