[發明專利]貯氫型鎂銅合金材料

無效

• 申請號: 201310270060.0
• 申請日: 2013-07-01
• 公開（公告）號: CN103334024A
• 公開（公告）日: 2013-10-02
• 發明（設計）人: 蔣澤鋒
• 申請（專利權）人: 昆山喬銳金屬制品有限公司
• 主分類號: C22C9/00
• 分類號: C22C9/00;C22C30/02
• 代理公司: 北京瑞思知識產權代理事務所(普通合伙) 11341
• 代理人: 李濤

技術領域

本發明涉及金屬材料領域，特別是涉及一種貯氫型鎂銅合金材料。

背景技術

貯氫材料是在一定溫度和氫氣壓強下能迅速吸氫，適當加溫或減小氫氣壓強時又能放氫的材料。多為易與氫起作用的某些過渡族金屬、合金或金屬間化合物。由于這些金屬材料具有特殊的晶體結構，使得氫原子容易進入其晶格的間隙中并與其形成金屬氫化物。其貯氫量可達金屬本身體積的1000～1300倍。氫與這些金屬的結合力很弱，一旦加熱和改變氫氣壓強，氫即從金屬中釋放出來。氫在金屬中的這種吸收和釋放，取決于金屬和氫的相平衡關系，并受溫度、壓強和組分的制約。通常，貯氫材料的貯氫密度很大，甚至高于液態氫密度。

目前使用的普通鎂銅系貯氫材料需要加熱到一定溫度才能開始放氫，而且易腐蝕，因此吸放氫的速度較慢，壽命短。

發明內容

本發明主要解決的技術問題是：針對現有技術的不足，提供一種貯氫型鎂銅合金材料，能夠改善合金材料的綜合性能，提高材料的耐溫、耐腐蝕等性能，從而延長材料的使用壽命，同時提高材料的貯氫能力，縮小吸放氫滯后壓力，提高合金材料吸放氫的速度。

為解決上述技術問題，本發明采用的一個技術方案是：提供一種貯氫型鎂銅合金材料，所述貯氫型鎂銅合金材料包括按質量百分比組成的下列主要成分：Mg：39.0%-41.0%，Cu：48.0%-50.0%，Ti：5.5%-6.5%，以及按質量百分比組成的下列次要成分：Ni：1.6%-1.8%，Re：0.1%-0.15%，Co：0.2%-0.4%，B：0.1%-0.3%，Ca：0.05%-0.1%，Mn：0.5%-0.7%，Cr：0.3%-0.5%，Al：0.7%-0.9%。

在本發明一個較佳實施例中，所述次要成分的含量為4.0%-5.0%。

在本發明一個較佳實施例中，所述貯氫型鎂銅合金材料中的Mg含量為40%。

本發明的有益效果是：通過對合金元素的合理優化匹配，以鎂銅系合金為依托，嚴格控制Mg含量，適當添加Ti、以及多種金屬微量元素，能夠改善合金材料的綜合性能，提高材料的耐溫、耐腐蝕等性能，從而延長材料的使用壽命，同時提高材料的貯氫能力，縮小吸放氫滯后壓力，提高合金材料吸放氫的速度。

具體實施方式

下面對本發明的較佳實施例進行詳細闡述，以使本發明的優點和特征能更易于被本領域技術人員理解，從而對本發明的保護范圍做出更為清楚明確的界定。

本發明實施例包括：

一種貯氫型鎂銅合金材料，所述貯氫型鎂銅合金材料包括按質量百分比組成的下列主要成分：Mg：39.0%-41.0%，Cu：48.0%-50.0%，Ti：5.5%-6.5%，以及按質量百分比組成的下列次要成分：Ni：1.6%-1.8%，Re：0.1%-0.15%，Co：0.2%-0.4%，B：0.1%-0.3%，Ca：0.05%-0.1%，Mn：0.5%-0.7%，Cr：0.3%-0.5%，Al：0.7%-0.9%。

其中，所述次要成分的含量為4.0%-5.0%，主要用于改善合金材料的性能，提高材料的耐溫、耐腐蝕等性能，從而延長材料的使用壽命。

所述貯氫型鎂銅合金材料中的Mg含量為40%，能夠提高材料的貯氫能力，縮小吸放氫滯后壓力，提高合金材料吸放氫的速度。

實施例一：

一種貯氫型鎂銅合金材料，所述貯氫型鎂銅合金材料包括按質量百分比組成的下列主要成分：Mg：40.0%，Cu：50.0%，Ti：6.0%，以及按質量百分比組成的下列次要成分：Ni：1.6%，Re：0.1%，Co：0.3%，B：0.2%，Ca：0.1%，Mn：0.5%，Cr：0.4%，Al：0.8%。

實施例二：

一種貯氫型鎂銅合金材料，所述貯氫型鎂銅合金材料包括按質量百分比組成的下列主要成分：Mg：40.0%，Cu：49.0%，Ti：6.2%，以及按質量百分比組成的下列次要成分：Ni：1.8%，Re：0.15%，Co：0.4%，B：0.3%，Ca：0.05%，Mn：0.7%，Cr：0.5%，Al：0.9%。

本發明揭示了一種貯氫型鎂銅合金材料，通過對合金元素的合理優化匹配，以鎂銅系合金為依托，嚴格控制Mg含量，適當添加Ti、以及多種金屬微量元素，能夠改善合金材料的綜合性能，提高材料的耐溫、耐腐蝕等性能，從而延長材料的使用壽命，同時提高材料的貯氫能力，縮小吸放氫滯后壓力，提高合金材料吸放氫的速度。

以上所述僅為本發明的實施例，并非因此限制本發明的專利范圍，凡是利用本發明說明書內容所作的等效結構或等效流程變換，或直接或間接運用在其他相關的技術領域，均同理包括在本發明的專利保護范圍內。