[發明專利]一種檢測源極多晶硅經化學機械研磨后表面異常的方法在審
| 申請號： | 201310266284.4 | 申請日： | 2013-06-28 |
| 公開（公告）號： | CN104253061A | 公開（公告）日： | 2014-12-31 |
| 發明（設計）人： | 楊興 | 申請（專利權）人： | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/66 | 分類號： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海信好專利代理事務所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 張靜潔;徐雯瓊 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 檢測 極多 晶硅經 化學 機械 研磨 表面 異常 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種檢測源極多晶硅經化學機械研磨后表面異常的方法，其特征在于，采用KT電子掃描顯微鏡對源極多晶硅經化學機械研磨后的表面進行檢測，該方法包含以下步驟：
步驟1、KT電子掃描顯微鏡發射原生入射電子對源極多晶硅表面進行掃描，源極多晶硅表面的價電子被激發，形成二次電子；
KT電子掃描顯微鏡持續對源極多晶硅表面進行掃描；
步驟2、KT電子掃描顯微鏡偵測源極多晶硅表面被激發出的二次電子并成像，判斷是否存在表面異常。
2.如權利要求1所述的檢測源極多晶硅經化學機械研磨后表面異常的方法，其特征在于，?KT電子掃描顯微鏡持續對源極多晶硅表面掃描3-5S。
3.如權利要求1所述的檢測源極多晶硅經化學機械研磨后表面異常的方法，其特征在于，異常表面的成像亮度大于正常表面的成像亮度。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
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