[發(fā)明專利]晶圓允收測(cè)試系統(tǒng)及方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310264835.3
• 申請(qǐng)日: 2013-06-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103344898A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-10-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 沈茜;周波
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號(hào): G01R31/26
• 分類號(hào): G01R31/26
• 代理公司: 上海申新律師事務(wù)所 31272
• 代理人: 竺路玲

1.一種晶圓允收測(cè)試系統(tǒng)，包括晶圓允收測(cè)試機(jī)臺(tái)，其特征在于，所述系統(tǒng)還包括靜電釋放模塊；

所述靜電釋放模塊位于所述晶圓允收測(cè)試機(jī)臺(tái)上，以對(duì)所述晶圓允收測(cè)試機(jī)臺(tái)進(jìn)行靜電釋放。

2.如權(quán)利要求1所述的晶圓允收測(cè)試系統(tǒng)，其特征在于，所述靜電釋放模塊包括接地接觸墊；

當(dāng)所述晶圓允收測(cè)試機(jī)臺(tái)上的所有針腳與所述接地接觸墊電連接時(shí)，所述靜電釋放模塊對(duì)所述晶圓允收測(cè)試機(jī)臺(tái)進(jìn)行靜電釋放操作。

3.如權(quán)利要求2所述的晶圓允收測(cè)試系統(tǒng)，其特征在于，所述接地接觸墊上的電壓為0V。

4.如權(quán)利要求2所述的晶圓允收測(cè)試系統(tǒng)，其特征在于，所述接地接觸墊為所述晶圓允收測(cè)試機(jī)臺(tái)的接地模組。

5.如權(quán)利要求2所述的晶圓允收測(cè)試系統(tǒng)，其特征在于，所述接地接觸墊為所述晶圓允收測(cè)試機(jī)臺(tái)的量測(cè)模組；

所述量測(cè)模組與所述晶圓允收測(cè)試機(jī)臺(tái)的高功率電源電連接，并施加0V電壓于所述高功率電源，以使所述量測(cè)模組上的電壓為0V。

6.一種晶圓允收測(cè)試方法，其特征在于，包括：

提供一晶圓允收測(cè)試機(jī)臺(tái)；

對(duì)所述晶圓允收測(cè)試機(jī)臺(tái)進(jìn)行靜電釋放操作；

采用所述晶圓允收測(cè)試機(jī)臺(tái)進(jìn)行晶圓允收測(cè)試工藝；

再次對(duì)所述晶圓允收測(cè)試機(jī)臺(tái)進(jìn)行靜電釋放操作。

7.如權(quán)利要求6所述的晶圓允收測(cè)試方法，其特征在于，所述靜電釋放操作的時(shí)間為0.03s～0.3s。

8.如權(quán)利要求6所述的晶圓允收測(cè)試方法，其特征在于，所述晶圓允收測(cè)試機(jī)臺(tái)包括接地模組和若干針腳；

所述靜電釋放操作為：將所有所述針腳與所述接地模組電連接，以完成所述靜電釋放操作。

9.如權(quán)利要求6所述的晶圓允收測(cè)試方法，其特征在于，所述晶圓允收測(cè)試機(jī)臺(tái)包括量測(cè)模組、高功率電源和若干針腳，且所述量測(cè)模組與所述高功率電源電連接；

所述靜電釋放操作為：將所有所述針腳與所述量測(cè)模組電連接，并施加0V電壓于所述量測(cè)模組，以完成所述靜電釋放操作。

10.如權(quán)利要求8或9中任意一項(xiàng)所述的晶圓允收測(cè)試方法，其特征在于，當(dāng)進(jìn)行所述靜電釋放操作時(shí)，若干所述針腳上的電壓均為0V。