[發明專利]調壓電路有效
| 申請號: | 201310264435.2 | 申請日: | 2013-06-28 |
| 公開(公告)號: | CN103529886A | 公開(公告)日: | 2014-01-22 |
| 發明(設計)人: | 馬丁·費爾德特克勒 | 申請(專利權)人: | 英飛凌科技股份有限公司 |
| 主分類號: | G05F1/46 | 分類號: | G05F1/46 |
| 代理公司: | 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240 | 代理人: | 余剛;吳孟秋 |
| 地址: | 德國瑙伊*** | 國省代碼: | 德國;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 調壓 電路 | ||
1.一種電路,包括:
電源端子,被配置為接收電源電壓;
控制晶體管,所述控制晶體管具有體區、第一源/漏區、第二源/漏區、布置在所述體區上方的柵極絕緣區以及布置在所述柵極絕緣區上方的柵極區,其中,所述第一源/漏區耦接至所述電源端子,并且其中,所述柵極絕緣區具有第一層厚度;
邏輯電路,包括內部電源端子和多個晶體管,各個所述晶體管都具有第二層厚度的柵極絕緣區,其中,所述內部電源端子耦接至所述控制晶體管的所述第二源/漏區;
逆變器,包括逆變器輸入端和逆變器輸出端,其中,所述逆變器輸入端耦接至所述邏輯電路的所述內部電源端子,并且所述逆變器輸出端耦接至所述控制晶體管的所述柵極區,其中,所述逆變器包括具有第三層厚度的柵極絕緣區的至少一個晶體管;
其中,所述第一層厚度、所述第二層厚度和所述第三層厚度基本上相等。
2.根據權利要求1所述的電路,
其中,所述控制晶體管被配置為將內部電源電壓提供給所述邏輯電路的所述內部電源端子。
3.根據權利要求1所述的電路,
其中,控制晶體管的、布置在該晶體管的所述體區上方的所述柵極絕緣區具有第一長度,
其中,包含在所述邏輯電路中的所述多個晶體管中的至少一個晶體管的、布置在該晶體管的體區上方的所述柵極絕緣區具有第二長度,
其中,所述逆變器的所述至少一個晶體管的、布置在該晶體管的體區上方的所述柵極絕緣區具有第三長度,以及
其中,所述第一長度、所述第二長度和所述第三長度基本上相等。
4.根據權利要求1所述的電路,
其中,所述第一晶體管、包含在所述邏輯電路中的所述多個晶體管中的至少一個晶體管以及所述逆變器的所述至少一個晶體管經配置使得它們的開關特性基本上相同。
5.根據權利要求1所述的電路,進一步包括:
另外的晶體管,所述另外的晶體管具有體區、第一源/漏區、第二源/漏區、布置在所述體區上方的柵極絕緣區以及布置在所述柵極絕緣區上方的柵極區,其中,所述第一源/漏區耦接至所述電源端子,所述第二源/漏區耦接至所述控制晶體管的所述第一源/漏區,并且其中,該柵極絕緣區具有第四層厚度。
6.根據權利要求1所述的電路,
其中,所述逆變器經配置使得該逆變器的閾值電壓基本上等于在所述邏輯電路的所述內部電源端子上提供的電壓的期望值。
7.根據權利要求1所述的電路,
其中,所述逆變器包括串聯耦接的第一晶體管和第二晶體管;以及
其中,所述逆變器被配置為在這兩個晶體管導通的模式下操作。
8.一種電路,包括:
電源端子,被配置為接收電源電壓;
第一晶體管,所述第一晶體管具有體區、第一源/漏區、第二源/漏區、布置在所述體區上方的柵極絕緣區以及布置在所述柵極絕緣區上方的柵極區,其中,所述第一源/漏區耦接至所述電源端子,并且其中,所述柵極絕緣區具有第一層厚度;
第二晶體管,所述第二晶體管具有體區、第一源/漏區、第二源/漏區、布置在所述體區上方的柵極絕緣區以及布置在所述柵極絕緣區上方的柵極區,其中,所述第二晶體管的所述第一源/漏區耦接至所述第一晶體管的所述第二源/漏區,并且其中,所述柵極絕緣區具有第二層厚度;
邏輯電路,包括供給輸入端和多個晶體管,各個所述晶體管都具有第三層厚度的柵極絕緣區,其中,所述供給輸入端耦接至所述第二晶體管的所述第二源/漏區;
其中,所述第二厚度和所述第三厚度基本上相等而與所述第一厚度不同。
9.根據權利要求8所述的電路,
其中,所述第一厚度大于所述第二厚度和所述第三厚度中的每一個。
10.根據權利要求8所述的電路,
其中,所述第二晶體管被配置為將內部電源電壓提供給所述邏輯電路的所述內部電源端子。
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