[發(fā)明專利]無受閂鎖影響的ESD保護(hù)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310263009.7 | 申請日： | 2013-06-27 |
| 公開（公告）號： | CN103515379A | 公開（公告）日： | 2014-01-15 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 賴大偉;M·I·納塔拉延 | 申請（專利權(quán)）人： | 新加坡商格羅方德半導(dǎo)體私人有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/02 | 分類號： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京戈程知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11314 | 代理人： | 程偉;王錦陽 |
| 地址： | 新加坡*** | 國省代碼： | 新加坡;SG |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 無受閂鎖 影響 esd 保護(hù) | ||
1.一種靜電放電模塊，其包含：
靜電放電電路，具有接墊端和低電位電源端；
閂鎖控制電路，包括耦接于高電位電源的第一閂鎖輸入端和耦接于該靜電放電電路的閂鎖輸出端；以及
第一操作模式與第二操作模式，用于該靜電放電模塊；
其中，在該第一操作模式中，該閂鎖控制電路是去激活的并且該靜電放電電路具有小于100mA的第一觸發(fā)電流It1，而在該第二操作模式中，該閂鎖控制電路是激活的并且該靜電放電電路具有大于100mA的第二觸發(fā)電流It2。
2.如權(quán)利要求1所述的靜電放電模塊，其中該接墊為器件的輸入/輸出接墊。
3.如權(quán)利要求2所述的靜電放電模塊，其中該靜電放電電路包含第一部位與第二部位，其中該第一部位包含摻有第二極性類型摻質(zhì)的第一部位阱區(qū)以及該第二部位包含摻有第一極性類型摻質(zhì)的第二部位阱區(qū)。
4.如權(quán)利要求3所述的靜電放電模塊，其中該第一部位包含摻有第一類型極性摻質(zhì)的第一第一部位接觸區(qū)域以及摻有第二類型極性摻質(zhì)的第二第一部位接觸區(qū)域，該第一第一部位接觸區(qū)域與該第二第一部位接觸區(qū)域是共同耦接于該接墊。
5.如權(quán)利要求4所述的靜電放電模塊，其中該第二部位包含摻有第一類型極性摻質(zhì)的第一第二部位接觸區(qū)域以及摻有第二類型極性摻質(zhì)的第二第二部位接觸區(qū)域，該第一第二部位接觸區(qū)域與該第二第二部位接觸區(qū)域是共同耦接于該低電位電源。
6.如權(quán)利要求5所述的靜電放電模塊，其中該第二第一部位接觸區(qū)域及該第二第二部位接觸區(qū)域是彼此鄰近。
7.如權(quán)利要求6所述的靜電放電模塊，其中該些接觸區(qū)域?qū)儆谥負(fù)诫s。
8.如權(quán)利要求7所述的靜電放電模塊，其中該靜電放電電路在靜電放電狀況下產(chǎn)生由該接墊至該低電位電源端用以消散靜電放電電流的電流路徑。
9.如權(quán)利要求1所述的靜電放電模塊，其中該靜電放電電路包含基于硅控整流器的靜電放電電路。
10.如權(quán)利要求1所述的靜電放電模塊，其中該閂鎖控制電路包含耦接于該低電位電源的第二閂鎖輸入端。
11.如權(quán)利要求1所述的靜電放電模塊，其中該靜電放電電路包含第一雙極型結(jié)型晶體管與第二雙極型結(jié)型晶體管，其中該第一雙極型結(jié)型晶體管為pnp晶體管以及該第二雙極型結(jié)型晶體管為npn晶體管。
12.如權(quán)利要求11所述的靜電放電模塊，其中該第一雙極型結(jié)型晶體管包含：
第一射極，耦接于該接墊；
第一基極，耦接于該閂鎖輸出端；以及
第一集極，耦接于該低電位電源的。
13.如權(quán)利要求12所述的靜電放電模塊，其中該第一射極由該第一第一部位接觸區(qū)域所形成、該第一基極由該第一部位阱區(qū)所形成、以及該第一集極由該基板所形成，該第一基極與該第二第一部位接觸區(qū)域是經(jīng)連接以形成第一節(jié)點(diǎn)，以及由該第二部位阱區(qū)所形成的該第一集極與電阻器是經(jīng)連接以形成第二節(jié)點(diǎn)。
14.如權(quán)利要求13所述的靜電放電模塊，其中該第二雙極型結(jié)型晶體管包含：
第二射極，耦接于該低電位電源；
第二基極，耦接于該第二節(jié)點(diǎn)；以及
第二集極，耦接于該第一節(jié)點(diǎn)。
15.如權(quán)利要求14所述的靜電放電模塊，其中該第二射極由該第二第二部位接觸區(qū)域所形成，該第二基極由該第二部位阱區(qū)所形成，以及該第二集極由該第一部位阱區(qū)所形成。
16.一種靜電放電模塊，其包含：
靜電放電電路，具有接墊端和低電位電源端；
閂鎖控制電路，包括耦接于高電位電源的第一閂鎖輸入端、耦接于該低電位電源的第二閂鎖輸入端以及耦接于該靜電放電電路的閂鎖輸出端；以及
第一操作模式與第二操作模式，用于該靜電放電模塊；
其中，在該第一操作模式中，該閂鎖控制電路是去激活的并且該靜電放電電路具有小于100mA的第一觸發(fā)電流It1，而在該第二操作模式中，該閂鎖控制電路是激活的并且該靜電放電電路具有大于100mA的第二觸發(fā)電流It2。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個(gè)躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的；包括有熱磁組件的
