[發(fā)明專利]一種寬溫高初始磁導(dǎo)率軟磁鐵氧體

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310262168.5
• 申請日: 2013-06-27
• 公開（公告）號: CN103588471A
• 公開（公告）日: 2014-02-19
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 顏沖
• 申請（專利權(quán)）人: 橫店集團東磁股份有限公司
• 主分類號: C04B35/26
• 分類號: C04B35/26;C04B35/622
• 代理公司: 杭州杭誠專利事務(wù)所有限公司 33109
• 代理人: 尉偉敏

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種軟磁鐵氧體材料，特別涉及一種寬溫高初始磁導(dǎo)率軟磁鐵氧體。

背景技術(shù)

MnZn高磁導(dǎo)率鐵氧體廣泛用于電子、通訊領(lǐng)域作為信號傳輸和抗電磁干擾材料。作為這些應(yīng)用的高磁導(dǎo)率鐵氧體材料，要求其在較寬的工作溫度范圍磁導(dǎo)率比較穩(wěn)定，以使電子器件在較寬的溫度范圍正常工作。早期一般要求的穩(wěn)定工作溫度范圍為-40℃-85℃。但對于軍工電子產(chǎn)品和環(huán)境極端的民用電子產(chǎn)品，則要求在-55℃-125℃范圍仍然能夠穩(wěn)定工作。為了在寬溫范圍保持穩(wěn)定的初始磁導(dǎo)率，到目前為止進行了主配方限制、添加劑的加入、元素取代和優(yōu)化工藝條件等各種研究（如中國發(fā)明專利公開?CN101863657A、?CN101870578A等），以實現(xiàn)寬溫尤其是低溫段磁導(dǎo)率的提升。

中國發(fā)明專利公開?CN101863657A公布了一種寬溫高初始磁導(dǎo)率的Mn-Zn鐵氧體材料及其制備方法，通過把Fe₂O₃的含量限制在51～56mol％，ZnO的含量限制在16～26mol%范圍，實現(xiàn)了材料在-60℃～130℃初始磁導(dǎo)率在5000以上。但該發(fā)明的主配方范圍與本發(fā)明不同，而且其中沒有提及加入SnO₂和Ta₂O₅的任何內(nèi)容，所以不同于本發(fā)明。

中國發(fā)明專利公開??CN101870578A公布了一種高磁導(dǎo)率12000μi寬溫錳鋅鐵氧體材料及其制備方法，通過把Fe₂O₃的含量限制在53～58mol％、Mn₃O₄的含量限制在22～25mol%范圍，ZnO的含量限制在20~28mol%范圍，實現(xiàn)了材料-40℃下的初始磁導(dǎo)率在5000以上。而更低溫度下的初始磁導(dǎo)率如何則沒有說明。實際上，隨著溫度的降低，低溫段的初始磁導(dǎo)率有迅速下降的趨勢。所以不同于本發(fā)明。

由于以上原因，需要開發(fā)一種在低溫、高溫下都要具有高初始磁導(dǎo)率、且磁導(dǎo)率穩(wěn)定的MnZn鐵氧體材料。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種寬溫高初始磁導(dǎo)率軟磁鐵氧體，在-55℃-125℃的寬溫范圍下具有較高的初始磁導(dǎo)率且磁導(dǎo)率穩(wěn)定，初始磁導(dǎo)率都在5000以上。

本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是：?

一種寬溫高初始磁導(dǎo)率軟磁鐵氧體，由主成分和輔助成分組成，其中所述主成分的各組分的摩爾百分比為：?Fe₂O₃為54-55mol%，ZnO為14-15.9mol%，MnO余量；按占主成分總重量計，輔助成分各組分含量為：按SnO₂計算的含量為500-2000ppm的SnO₂，按Ta₂O₅計算的含量為50-500ppm的Ta₂O，按CaCO₃計算的含量為100-500ppm的CaCO₃，按Bi₂O₃計算的含量為50-800ppm的Bi₂O₃，按MoO₃計算的含量為50-800ppm的MoO₃。

發(fā)明人研究發(fā)現(xiàn)，加入的SnO₂能夠進入鐵氧體尖晶石晶格，降低磁晶各向異性常數(shù)，Ta₂O₅的加入能夠控制晶粒的異常生長，提高晶粒的均勻性。SnO₂?和Ta₂O₅兩種輔助成分共同的加入，并配合其它輔助成分協(xié)同作用，與主成分配合，有利于實現(xiàn)材料的寬溫高初始磁導(dǎo)率。

對于主成分Fe₂O₃、ZnO和MnO要加以控制，需要落在Fe₂O₃為54-55mol%、ZnO為14-15.9mol%、MnO余量的范圍內(nèi)。若主成分的配方不在本發(fā)明的上述范圍內(nèi)，則某一溫度下的初始磁導(dǎo)率會出現(xiàn)下降趨勢。