[發(fā)明專利]遠(yuǎn)程大功率調(diào)頻發(fā)射器

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310260783.2
• 申請(qǐng)日: 2013-06-27
• 公開（公告）號(hào): CN103391105A
• 公開（公告）日: 2013-11-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周蕓
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 周蕓
• 主分類號(hào): H04B1/04
• 分類號(hào): H04B1/04;H04R19/01
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種遠(yuǎn)程大功率調(diào)頻發(fā)射器，它包括12V直流電源、拾音電路、振蕩頻率調(diào)節(jié)電路、晶體管偏置電路、高頻振蕩電路、甲類功放及發(fā)射電路，其特征在于：

所述的拾音電路由駐極體話筒MIC、電阻R1、耦合電容C1和電阻R2組成，駐極體話筒MIC的輸出端D接電阻R1的一端和耦合電容C1的一端，耦合電容C1的另一端通過電阻R2接變?nèi)荻O管D1的負(fù)極，駐極體話筒MIC的金屬外殼端S與電路地GND相連，電阻R1的另一端接電路正極VCC；

所述的振蕩頻率調(diào)節(jié)電路由線性電位器RP和變?nèi)荻O管D1組成，線性電位器RP的一端接電路正極VCC，線性電位器RP的活動(dòng)端接變?nèi)荻O管D1的負(fù)極，線性電位器RP的另一端和變?nèi)荻O管D1的正極接電路地GND；

所述的晶體管偏置電路由NPN型晶體管VT1、電阻R3、電容C2和電阻R4組成，NPN型晶體管VT1的基極接電阻R2的一端、電容C2的一端和電阻R4的一端，電阻R3的另一端接電路正極VCC，電容C2的另一端和電阻R4的另一端接電路地GND；

所述的高頻振蕩電路由NPN型晶體管VT1、電容C3、高頻振蕩線圈L1、負(fù)反饋電容C4、負(fù)反饋電阻R5組成，NPN型晶體管VT1的集電極接電容C3的一端和負(fù)反饋電容C4的一端，電容C3的另一端接變?nèi)荻O管D1的負(fù)極，負(fù)反饋電容C4的另一端接NPN型晶體管VT1的發(fā)射極和負(fù)反饋電阻R5的一端，負(fù)反饋電阻R5的另一端接電路地GND，NPN型晶體管VT1的集電極通過高頻振蕩線圈L1接電路正極VCC；

所述的甲類功放及發(fā)射電路由高頻振蕩線圈次級(jí)L2、NPN型晶體管VT2、高頻發(fā)射線圈L3、電位器RP2和電容C5、耦合電容C6及發(fā)射天線ATX組成，NPN型晶體管VT2的基極通過高頻振蕩線圈次級(jí)L2接電路地GND，NPN型晶體管VT2的發(fā)射極接電位器RP2的一端及其活動(dòng)端和電容C5的一端，電位器RP2的另一端和電容C5的另一端接電路地GND，NPN型晶體管VT2的集電極通過高頻發(fā)射線圈L3接電路正極VCC，耦合電容C6的一端接PN型晶體管VT2的集電極，耦合電容C6的另一端接發(fā)射天線ATX；

所述的12V直流電源的正極與電路正極VCC相連，12V直流電源的負(fù)極與電路地GND相連。