[發明專利]一種超勢壘整流器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201310260342.2
• 申請日: 2013-06-26
• 公開（公告）號: CN103346155A
• 公開（公告）日: 2013-10-09
• 發明（設計）人: 丁磊;殷允超
• 申請（專利權）人: 張家港凱思半導體有限公司
• 主分類號: H01L27/105
• 分類號: H01L27/105;H01L29/06;H01L21/336
• 代理公司: 張家港市高松專利事務所(普通合伙) 32209
• 代理人: 孫高

1.一種超勢壘整流器件，在整流器件的截面上包括一半導體基板，該半導體基板的下部為重摻雜的第一導電類型襯底，半導體基板的上部為輕摻雜的第一導電類型漂移區，所述半導體基板的上表面定義為第一表面，半導體基板的下表面定義為第二表面，其特征在于：所述第一表面間隔覆蓋有若干個絕緣柵氧化層，每個絕緣柵氧化層上均覆蓋有第一電極；所述第一表面未覆蓋所述絕緣柵氧化層的區域設置若干個溝槽，該溝槽由第一表面延伸進入第一導電類型漂移區；所述第一導電類型漂移區在溝槽的側溝沿處設有第一導電類型注入區，所述第一導電類型漂移區上部設有與溝槽數目對應且相互獨立的第二導電類型注入區，每個第二導電類型注入區包裹一個溝槽以及對應的第一導電類型注入區；在所述第二導電類型注入區之間設有第二導電類型淺注入區，該第二導電類型淺注入區位于第一導電類型漂移區頂部與所述絕緣柵氧化層底部接觸并與所述第二導電類型注入區連接，所述第一表面上及溝槽內設置有第一金屬，第一金屬與第一電極、第一表面均歐姆接觸，所述第二表面上設置有與第二表面歐姆接觸的第二金屬。

2.如權利要求1所述的一種超勢壘整流器件，其特征在于：所述第一導電類型注入區由注入橫向擴散形成。

3.如權利要求2所述的一種超勢壘整流器件，其特征在于：所述第二導電類型注入區和第二導電類型淺注入區的注入劑量小于第一導電類型注入區注入劑量至少一個數量級。

4.如權利要求3所述的一種超勢壘整流器件，其特征在于：所述第一電極為導電多晶硅。

5.如權利要求4所述的一種超勢壘整流器件，其特征在于：所述第一金屬設有陽極端，所述第二金屬設有陰極端。

6.一種制造權利要求1中超勢壘整流器件的方法，其包括

a．提供具有兩個相對表面的第一導電類型半導體基板，該第一導電類型半導體基板包括重摻雜的第一導電類型襯底和輕摻雜的第一導電類型漂移區，所述兩個相對表面包括位于半導體基板上部的第一表面和半導體基板下部的第二表面；

b．在所述半導體基板的第一表面上形成絕緣柵氧化層；

c．在所述絕緣柵氧化層上形成第一電極；

d．在所述第一電極上覆蓋光刻膠層；

e．選擇性的刻蝕所述光刻膠形成間隔布置的光刻膠掩蔽體；

f．以e中形成的光刻膠掩蔽體為阻擋刻蝕第一電極和絕緣柵氧化層直至半導體基板的第一表面；

g．以光刻膠掩蔽體為阻擋注入第一導電類型雜質形成第一導電類型注入區，該第一導電類型注入區兩側橫向擴散到絕緣柵氧化層下；

h．以光刻膠掩蔽體為阻擋刻蝕溝槽，該溝槽縱向貫穿第一導電類型注入區直至第一導電類型漂移區內；

i.以光刻膠掩蔽體為阻擋注入第二導電類型雜質后形成第二導電類型注入區，該第二導電類型注入區包裹溝槽和第一導電類型注入區；

j．去除光刻膠掩蔽體；

k．于所述半導體基板的第一表面注入第二導電類型雜質在絕緣柵氧化層下形成第二導電類型淺注入區；

l．于所述半導體基板的第一表面淀積第一金屬；

m．于所述半導體基板的第二表面淀積第二金屬。

7.如權利要求6所述的制造方法，其特征在于：步驟b中絕緣柵氧化層的形成方式為熱生長形成。

8.如權利要求7所述的制造方法，其特征在于：所述步驟c中的第一電極為淀積形成。